俄歇电子能谱技术(AES).ppt

俄歇电子能谱技术（AES） --Auger Electronic Spectrometer  策划：微电子学与固体电子学专业 2009级 张锗源 引言 俄歇电子能谱技术(AES)是通过测定电子束激发产生的俄歇电子的特征能量进行元素分析的一种固体表面薄层分析技术。 由于它充分利用了固体表面激发出的各种可测信息, 除了俄歇电子外, 输出还有反射电子、二次电子等,因此不仅能利用得到的俄歇电子能谱进行成份分析, 还可以利用这些信息电子生成图像观察样品表面形貌和成份分布关系。 俄歇电子能谱提供的信息 固体表面的能带结构、态密度，电子态； 表面的物理化学性质变化; 元素组成的含量，化学价态，深度分布，微区分析等信息; 表面吸附、脱附以及表面化学反应； 材料组分的确定，纯度的检测，材料特别是薄膜材料的生长 等； 电子器件的失效分析，材料的腐蚀等； 第一节 俄歇效应 俄歇效应是指入射电子束或X射线使原子内层能级电子电离，外层电子产生无辐射俄歇跃迁，进而发射出俄歇电子的现象（不能用光电效应解释）。该效应以法国人 M.P.Auger的名字命名。[展开讲述] 俄歇电子的特点： ① 俄歇电子的能量是靶物质所特有的，与入射电子束的能量无关。大多数元素和一些化合物的俄歇电子能量可以从手册中查到。 ② 俄歇电子只能从20埃以内的表层深度中逃逸出来，因而带有表层物质的信息，即对表面成份非常敏感。正因如此，俄歇电子特别适用于作表面化学成份分析。 第二节 俄歇电子能谱仪 俄歇能谱仪 由电子光学系统、电子能量分析器、样品安放系统、离子枪、超高真空系统几部分组成。 1 .电子光学系统 电子光学系统主要由电子激发源（热阴极电子枪）、电子束聚焦（电磁透镜）和偏转系统（偏转线圈）组成。 电子光学系统的主要指标是入射电子束能量，束流强度和束直径三个指标。 2 .电子能量分析器 这是AES的心脏，其作用是收集并分开不同的动能的电子。 由于俄歇电子能量极低，必须采用特殊的装置才能达到仪器所需的灵敏度。目前几乎所有的俄歇谱仪都使用一种叫作筒镜分析器的装置。 分析器的主体是两个同心的圆筒。样品和内筒同时接地，在外筒上施加一个负的偏转电压，内筒上开有圆环状的电子入口和出口，激发电子枪放在镜筒分析器的内腔中（也可以放在镜筒分析器外）。由样品上发射的具有一定能量的电子从入口位置进入两圆筒夹层，因外筒加有偏转电压，最后使电子从出口进入检测器。若连续地改变外筒上的偏转电压，就可在检测器上依次接收到具有不同能量的俄歇电子。 若将筒镜分析器与电子束扫描电路结合起来可以形成俄歇扫描显微镜。电子枪的工作方式与扫描电镜类似，两级透镜把电子束斑缩小到3微米，扫描系统控制使电子束在样品上和显像管荧光屏上产生同步扫描，筒镜分析器探测到的俄歇电子信号经电子倍增器放大后用来对荧光屏光栅进行调制，如此便可得到俄歇电子像（SAM）。 3 .样品安置系统 一般包括样品导入系统，样品台，加热或冷却附属装置等。俄歇能谱仪的样品要求能经得住真空环境，在电子束照射下不产生严重分解。有机物质和易挥发物质不能进行俄歇分析，粉末样品可压块成型后放入样品室。 4. 离子枪 它由离子源和束聚焦透镜等部分组成，有如下功能： ①清洁试样表面，用于分析的样品要求十分清洁，在分析前常用 溅射离子枪对样品进行表面清洗，以除去附着在样品表面的污物； ②逐层刻蚀试样表面，进行试样组成的深度剖面分析。 5 .超高真空系统 这是AES的一个重要组成部分。因为高的真空度能使试样表面在测量过程中的沾污减少到最低程度，从而得到正确的表面分析结果。目前商品AES的高真空度可达10托左右。 第三节 AES的测试结果 一般显微AES是先获得扫描电子微显图像(SEM)，再在SEM图像上确定分析位置和分析方式。SEM像为样品的形貌显微像。在放大的SEM像上，找到要分析的位置(点、区域或线)，将电子束聚焦到要分析的位置，采集俄歇信号，得到样品上指定局域点元素信号。 AES具有五个有用的特征量: 特征能量; 强度; 峰位移; 谱线宽和线型。 由AES的这五个特征量可获如下表面特征:化学组成,覆盖度,键中的电荷转移,电子态密度和表面键中的电子能级等。 第四节 俄歇能谱技术的应用 ① 材料表面偏析、表面杂质分布、晶界元素的分析； ?② 金属、半导体、复合材料界面的研究； ?③ 薄膜、多层膜生长机理的研究； ?④ 表面的力学性质(如摩擦、磨损、粘着、断裂等)的研究； ?⑤ 表面化学过程(如腐蚀、钝化、催化、晶间腐蚀、氢脆、氧化等)的研究； ?⑥ 集成电路掺杂的三维微区和失效分析； ⑦ 固体表面吸附、清洁度、沾染物的鉴定等。 表面组分检测分析 硬盘表面的微小的污