光纤通信4第四章光源和光发射机.ppt

本章内容 4.1 半导体的能带理论 4.2 发光二极管 4.3 半导体激光器 4.4 光调制 4.5 光发送机 4.1 半导体的能带理论 若 E ＝ Ef ， 则 f（E）＝ 1/2 说明该能级被电子占 据的概率为 50％ 若 E Ef ， 则 f（E） 1/2 说明该能级被电子 占据的概率大于 50％ 若 E Ef ， 则 f（E） 1/2 说明该能级被电子 占据的概率小于 50％ 从费米能级的位置可以判明半导体的类型以及掺杂程度 受主杂质多 施主杂质多 扩散 空间电荷区（PN结）的形成： P型区空穴浓度高，电子很少，N型反之。 N型区中的电子向P区扩散，P区中的空穴 向N区扩散。在P区留下了带负电的离子， N区反之。 ② 内建电场 使P区的电子移向N区，将N区的空穴移向 P区。这种与扩散相反的作用称为漂移作 用。这个电场阻止扩散作用。扩散与漂 移达到平衡。 4.2 发光二极管 发光二极管(LED)是低速、短距离光通信系统中常用光源。目前广泛采用PN异质结制造。 LED的原理是在LED注入正向电流时，注入的非平衡载流子在扩散过程中发光。 LED是非相干光源，它的发光过程是自发辐射过程，发出的是荧光，它没有光学谐振腔，是无阈值器件。 1. LED的结构和工作原理 LED的基本工作原理是光的自发辐射。正向电压V提供的外加能量激发了处于导带的电子和空穴进入耗尽区并且发生复合，促使发光二极管LED产生了能量。与普通二极管以热能的方式释放能量不同，LED将大部分产生的能量以可见光的方式释放出来。 1. LED的结构和工作原理 LED可分为面发光二极管和边发光二极管两大类。 1)面发光二极管 2）边发光二极管 边发光二极管结构示意图如下所示，它为长波长1.31μm双异质结InGaAsP/InP边发光型LED的结构。其核心部分是一个N-AlGaAs有源层，及其两边的P-AlGaAs和N-AlGaAs导光层(限制层)。导光层的折射率比有源层低，但比其他周围材料的折射率高，从而有源层产生的光波从端面发射出来 2）边发光二极管 2．LED的工作特性 1) LED的光谱特性 由于LED是自发辐射，没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽，对高速率调制是不利的。短波长LED的谱线宽度为30－50nm，长波长LED的普线宽度为60－120nm。发光光谱随着温度升高而升高，且峰值波长向长波长方向移动。 2）LED的输出光功率特性 从下图可见LED的P-I曲线线性范围较大，当驱动电流I较小 时，P-I曲线的线性较好，在进行调制时，动态范围大，信 号失真小。 通常工作条件下，LED工作电流为50－100mA，输出光功率为 几十毫瓦，由于光辐射角度大，入纤功率只有几百微瓦。 3）耦合特性 3）耦合特性 5）载流子生存期和调制带宽 5）载流子生存期和调制带宽 4.3 半导体激光器 半导体激光器（LD）主要适用于长距离大容量的光纤通信系统。尤其是单纵模半导体激光器，在高速率、大容量的数字光纤通信系统中得到广泛应用。 近年来逐渐成熟的波长可调谐激光器是WDM光纤通信系统的关键器件，越来越受到人们的关注。 1、光纤通信对半导体激光器的主要要求 半导体激光器(LD)是光纤通信最主要的光源，对它的基本要求有以下几点： （1）光源应在光纤的三个低损耗窗口工作，即发光波长为 0.85μm、1.31μm或1.55μm。 （2）光源的谱线宽度较窄，Δλ=0.1～1.0nm。 （3）能提供足够的输出功率，可达到10mW以上。 （4）与光纤耦合效率高，30%～50%。 （5）能长时间连续工作，工作稳定，提供足够的输出光功率。 2、LD的基本结构与工作原理 一个典型的半导体激光器由下面几部分功能组成。 （1）有源区（增益区） 有源区是实现粒子数反转分布， 产生光增益的区域。 满足N2N1 （2）光反馈装置 完成正反馈以促进激光振荡。 利用晶体的自然解理面的反射形成。其大小决定了纵模 的模式。 2、LD的基本结构与工作原理 2、LD的基本结构与工作原理 2、LD的基本结构与工作原理 3、常用半导体激光器 1）法布里—珀罗激光器 ① 外加正向偏压足够大时，PN结区出现粒子反转分布状 态，