北科大电子技术第14章.ppt

特性曲线接近水平的部分为放大区。晶体管的输出特性曲线在放大区是一组近似与横轴平行的直线。 * 在实际电路中，Uce增大，Ib也增大，但是Ic却增大的不多或者基本不变，说明晶体管进入饱和区 * IB为0时，IC不为0，约为ICEO。 * 两者含义不同，但是在输出特性曲线接近平行等距并且ICEO较小的情况下，两者的值比较接近，今后估算时认为两者相等。晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在接近水平部分，贝塔值才可以认为是基本恒定的。 * 加备注：2发射极开路时由于集电结反偏，集电区和基区中的少数载流子运动所形成的电流。 3基极开路，集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流，又因为它好像是从集电极直接穿透晶体管而到达发射极的，所以又称穿透电流。 1，2，3是表明晶体管好坏的主要指标，4，5，6是极限参数，晶体管的使用限制。 * 每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。每个原子都和他周围的四个原子形成共价键。 * 自由电子、空穴成对出现不断的复合，在一定的温度下复合和产生达到动态平衡， 半导体中的载流子维持一定的数目。但是由于这时的载流子数量很少，所以导电能力很差。 * 自由电子、空穴成对出现不断的复合，在一定的温度下复合和产生达到动态平衡， 半导体中的载流子维持一定的数目。但是由于这时的载流子数量很少，所以导电能力很差。 * * 掺入的杂质使多子的数目大大增加，使多子与少子的复合机会大大增加，多子的浓度越高少子的浓度越低， 多子的浓度等于掺杂原子的浓度，受温度影响很小，少子的浓度尽管很低，但是对温度却很敏感，这会影响半导体的性能。 * P，N区由于浓度差，引起N区电子向P区扩散，同样P区空穴也向N区扩散，扩散的结果，在交界面两侧留下不能移动的正负离子，它们之间相互作用，生成一个电场，方向由N区指向P区，由于该电场存在于结合的半导体中，所以称为内建电场 。 漂移运动因内建电场产生，但并不反作用于电场，或者说对电场的作用微乎其微~ 。 在无外电场作用下和其他激发的情况下，参与扩散运动的多子数目和参与漂移运动的少子数目相同，从而达到动态平衡，形成PN结。P区和N区的浓度不同时，PN结不对称。 * 以负离子端为参考点，电位是逐渐增加，压差变大到Vo。 * PN结外加电压会破坏原来的平衡，PN结将有电流流过，外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电特性。 * PN结加正向电压，外电场将多子推向空间电荷区，使其变窄，消弱内电场，破坏原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，在电源的作用下，漂移运动源源不断的进行，从而形成正向电流。 * PN 结具有单向导电性记住结论，内部载流子运动理解即可。 * 玻璃，塑料，金属封装 * 二极管既然是PN结，他当然具有单向导电性，其伏安特性曲线如图 反向电流的两个特点：1随温度的上升增长很快，2反向电压不超过一定范围时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压的大小没有关系，又称反向饱和电流。 导通压降的参考方向P为正N为负。 总结一下伏安特性。 * 微分电路（看书） * * 是一种重要的半导体器件，它的放大作用和开关作用促使电子技术的飞跃发展。 * 晶体管的特性是通过特性曲线和工作参数来分析研究的，但是为了更好地理解管子的外部特性首先要介绍管子的内部结构和载流子的运动规律。 * 为了了解电流分配和放大原理，我们先来做个试验。实验电路如图所示。 把晶体管接成两个电路，基极和集电极电路，发射极是公共端，因此这种解法称为共发射极接法。 采用NPN型，基极和集电极电源电压必须按照图示连接，发射结加正向电压，集电结加反向电压，晶体管才能起到放大作用 * 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 * 从晶体管内部载流子的运动规律，可以理解要使晶体管起到电流放大作用为什么发射结要正偏，集电结要反偏。 * NPN管两个电位都是正的，PNP管两个电位都是负的。NPN型集电结电位最高，发射极电位最低，PNP型发射极电位最高，集电极电位最低。 * Uce=0时，相当于集电极与发射极短路，发射结和集电结并联，输入特性曲线和PN结的伏安特性曲线相类似。 Uce增大时，曲线右移，这是因为（Uce增大时，集电结反向电压增大，基区，在基区参与复合运动的少子减少），要想获得相同大小的IB，就必须加大Ube，使发射区向基区注入更多的电子。 * 对于硅管来说，UCE?1V时，集电结已反向偏置，而且基区很薄，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入到集电区，以后UCE对IB的影响就不明显了，UCE?1V后的输入特性曲线基本上是重合的。 通常只画UCE?1V的一条输入特性曲线。 对于每个确定的Ib都有一条曲线，晶体管的输出特性曲线是一组曲线，如图所示，对于某一条曲