半导体器件原理-第二章.3.ppt

* * 1、载流子的运动情况 外加反向电压V (V 0) 后，势垒高度由qVbi 增高到 q(Vbi -V)， xd 与 | max | 都增大。 P N x 0 平衡时 外加反向电压时 外加电场 内建电场 面积为Vbi -V 面积为Vbi §2-3 PN 结在反向电压下的特性 反向电流也由三部分组成： 空穴扩散电流 Jdp 电子扩散电流 Jdn 势垒区产生电流 Jg 在势垒区中，R 0，发生电子空穴对的产生，其中电子被拉向N 区，空穴被拉向P 区，从而形成 Jg 。 多子面临的势垒提高了，但少子面临的势阱反向更深了，所以少子更容易被反向电场拉入对方区域，从而形成反向电流。 由于反向电流的来源是少子，所以反向电流很小。 2 、反向扩散电流 外加反向电压时，边界条件、扩散方程、少子分布、扩散电流等的表达式在形式上均与正向电压时相同，只是由于V 0 而在作进一步简化时有所不同。例如：N 区非平衡少子空穴的边界条件是： 反向PN 结的少子浓度分布图为： P区 N区 总的扩散电流密度表达式为： 在V 0 且 | V | kT/q 的条件下，PN 结反向扩散电流为： 此时反向电流达到饱和，不再随反向电压而变化，因此称电流 Io = A jo 为 反向饱和电流。 I V I0 0 3、势垒区产生复合电流 由于 Jr 与 Jg 也有相同的表达式，因此可统一用 Jgr 表示： 4、对反向电流的讨论 当V 0 且 |V| kT/q 时，总的反向电流为 ( 以P+N结为例 ) ： 当T 较低时，以Jg 为主；当T 较高时，以Jd 为主。EG 越大，则由以 Jg 为主过渡到以 Jd 为主的温度就越高。室温下，Ge PN 结的反向电流中以 Jd 为主。GaAs PN 结以 Jg 为主。而 Si PN 结则介于两者之间。 斜率 = -(EG / k) ，以Jd 为主 斜率 = -(EG / 2k) ，以Jg为主 GaAs Si Ge 5、薄基区二极管 （本小节的结果在第二章中有重要用途） 前面讨论少子的边界条件时曾假设中性区长度远大于少子扩散长度，因此有: 薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于少子扩散长度。这时其扩散电流 Jd 会因为边界条件不同而有所不同。但势垒区产生复合电流Jgr 的表达式无任何变化。下图的N 型区中，边界条件为： P N WB 0