半导体器件物理21.ppt

* § 5.3 MOS 场效应晶体管的直流电流－电压特性 为了讨论方便，先作以下几个假设： 忽略源区和漏区体电阻和电极接触电阻； 沟道内掺杂均匀； 载流子在反型层内的迁移率为常数； 长沟道近似和渐近沟道近似，即假设垂直电场和水平电场是互相独立的。 在沟道区不存在复合－产生电流。 1．线性区的电流－电压特性 N 沟增强型 MOS 场效应晶体管的输出特性曲线如图所示，图中的电流－电压特性可以用夹断条件作为界限划分为线性区和饱和区。 下图是 N 沟道 MOS 管的示意图，晶体管处于栅电压大于阈值电压（ ），为简化分析，使衬底和源接地。 ········ ① 由于沟道内载流子分布均匀，不存在浓度梯度，因此沟道电流只含电场作用的漂移项，漂移电流为电子电流，则有 设沟道中 处的电位为 ， 处反型层单位面积电子电荷为 ，则 将 ① 式代入上式可得： ········ ② 将 ② 式积分，有： 上式 ③ 就是线性工作区的直流特性方程（称为萨支唐方程），显然， 很小时， 项可忽略，因此 与 成线性关系。 增大时， 上升变慢，特性曲线开始向下弯曲。 ········ ③ 2．饱和区的电流－电压特性 将上式代入萨支唐方程（③ 式），便可得到进入饱和区时的漏极饱和电流 若增加漏极电压 至沟道夹断时，器件的工作进入饱和区。使 MOS 管进入饱和工作区所加的漏极电压为 ，则有 如果 MOS 管进入饱和工作区后，继续增加 ，则沟道夹断点向源端方向移动，在漏端将出现耗尽区，耗尽区的宽度 随着 的增大而不断变大，如图所示。 通过单边突变结的公式得到 进入饱和区后的漏极电流为 上式表明，当 增大时，分母减小， 将随之增加。漏极饱和电流随着沟道长度的减小而增大的效应称为沟道长度调变效应，这个效应会使 MOS 管的输出特性曲线向上发生倾斜，导致它的输出阻抗降低。 3．亚阈值区的电流－电压特性 当 时，半导体表面处于弱反型状态，流过漏极的电流并不等于零，这时 MOS 场效应晶体管的工作状态处于亚阈值区，流过沟道的电流称为亚阈值电流。对于在低压、低功耗下工作的 MOS 管来说，亚阈值区是很重要的，例如，当MOS 管在数字逻辑及储存器中用做开关时，就是这种情况。 对于长沟道 MOS 管，在弱反型时表面势可近似看作常数，因此可将沟道方向的电场强度视为零，这时漏源电流 主要是扩散电流，即： 为通过电流的沟道截面积； 为电子的扩散系数 ········ ① 在平衡时，没有产生和复合，根据电流连续性要求，电子浓度是随距离线性变化的，即 将 ② 式代入 ① 式上式，可得 ········ ③ ········ ② 又电子在 和 处的浓度 和 分别为 ········ ④ 将 ④ 式代入 ③ 式可得: 为了将亚阈值区电流减小到可以忽略不计，必须将 MOS 管偏置在比 低 0.5 V 或更低的电压值下。 上式可以看出，MOS 管在压阈值区漏源电流 随着 指数变化。又因为表面势 ，因此当 时，漏电流将指数地减小 4．转移特性 漏源电流 随栅压 变化的曲线称为 MOS 管的转移特性曲线，N 沟 MOS 管的转移特性曲线如图所示。转移特性说明栅压 对漏源电流 控制作用的强弱。当 时，随着 的增加，沟道中导电载流子数量增多，沟道电阻减小，因而在一定的 作用下， 漏极电流上升。 后，MOS 管进入亚阈值 区工作，漏极电流很小。