半导体物理知识要点及总结.pptx

半导体物理知识要点及重点习题 第一章 半导体、绝缘体、导体的能带特点 有效质量的概念及意义，已知能带求有效质量 半导体中电子的速度、加速度、外力与能带的关系 第二章 施主杂质，受主杂质，多子，少子，p型半导体，n型半导体等概念 杂质电离之后的状态及其所带电荷 杂质补偿及意义 缺陷的类型及作用 浅能级杂质电离能及基态轨道半径的计算 第三章 费米分布、波尔兹曼分布及适用条件 费米能级的定义及意义 电子和空穴浓度的表达式 本征载流子浓度的公式及其决定因素 n0、p0与ni的关系 电子和空穴占据杂质能级的概率 不同温度下，电离程度及载流子浓度的计算（低温下电离程度，高温下载流子浓度） 简并半导体与非简并半导体的概念 第四章 电导率的表达式 迁移率的定义及其与平均自由时间的关系 散射的概念，以及两种重要的散射机制及其它们与温度和杂质浓度的关系 本征半导体和杂质半导体的电阻率随温度的变化关系 第五章 非平衡载流子的产生及复合过程 非平衡载流子的寿命及复合率 准费米能级的提出及在非平衡载流子浓度公式中的应用，相应的计算 直接复合与间接复合的异同 扩散流密度及电流密度 扩散方程及其解的形式（厚样品与薄样品） 爱因斯坦关系的应用 连续性方程的一般形式，特定条件下解的形式 第六章 pn结的形成过程 pn结的内建电势表达式 pn结的空间电荷区宽度与掺杂浓度的关系 pn结的电流电压特性及Js的计算 pn结电容的种类及特点 第七章 功函数的定义，p型半导体和n型半导体的功函数大小关系 电子亲和能的定义 金属与半导体接触时，阻挡层与反阻挡层形成的条件及能带图 表面态对接触势垒的影响原理 金半整流接触与欧姆接触 扩散理论和热电子发射理论的适用条件 第八章 堆积、耗尽、反型的形成条件及能带图 例题1 已知某一半导体材料，在300K时，费米能级位于Ec下方0.25eV处，且NC=2.8*1019cm-3。求此时导带底Ec被电子占据的概率以及电子浓度的大小。 解：此时Ec-EF=0.25，k0T=0.026，可见分布函数可以用波尔兹曼分布函数。 第三章01 10 某个能级被占据的概率非常小，但是因为有大量的能级存在，电子的浓度是合理的 例题2 某一半导体材料，在400K时，费米能级位于Ev上方0.27eV处，已知300K时的Nv=1.04*1019cm-3。求400K时导带顶Ev被空穴占据的概率以及空穴浓度的大小。 解：此时EF-Ev=0.27eV，k0T=0.026/300*400=0.0347eV，可见分布函数可以用空穴波尔兹曼分布函数。 第三章01 11 例题3 已知300K时，Si的本征载流子浓度为1*1010cm-3，求450K时Si的本征载流子浓度。禁带宽度Eg=1.12eV，设它随温度的变化可以忽略。） 解： 第三章01 12 思考题 分析下图载流子浓度曲线随温度的变化过程 第三章01 13 例题4 若锗的电离能为0.01eV，Nc=1.05*1019cm-3，如果室温下电离要超过90%（强电离），则掺杂浓度不能超过多少？ 解：强电离时， 第三章01 14 例题5 若室温下，锗的电离能为0.01eV，Nc=1.05*1019cm-3，如果已知77K时电子的浓度n0=1017cm-3，则掺杂浓度为多少？（只有施主掺杂） 解： 第三章01 15 Ec－ED＝0.01eV；所以 第三章01 16 例题6 第三章02 17 18 第三章02 19 第三章02 20 第三章02 21 第三章02 22 第三章02 例题7 求在下列条件下，均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度及EF-Ei ，（设电离能大小为0.04eV，NC、NV近似取为1019cm-3） （a）T=300K, NA=0, ND=1015cm-3 （b）T=300K, ,NA=1016cm-3, ND=0 （c）T=300K, NA=1016cm-3, ND=1016cm-3 （d）T=450K, NA=0, ND=1014cm-3, （e）T=450K, NA=1014cm-3, ND=0, （f）T=650K, NA=0, ND=1014cm-3 其中300K Eg=1.12eV, ni=1010cm-3 450K: Eg=1.08eV, ni=5*1013cm-3 650K:Eg=1.015eV, ni=1016cm-3 第三章01 23 解：通过判断90%以上电离的掺杂浓度约为1017cm-3。所以，在上述掺杂浓度及所处的温度下，处于强电离及以上区域。 此时，如果掺杂浓度远大于本征载流子浓度，则多子浓度等于掺杂浓度； 如果本征载流子浓度接近掺杂浓度，则要考虑本征激发的影响； 如果本征载流子远大于掺杂浓