半导体的性质.ppt

半导体的基本性质 1.复合过程 2.光学性质 3.热学性质 4.高场性质 * 每当物理系统的热平衡状态受到扰动，即pn≠ni2?? 系统要恢复平衡:当pn大于ni2，复合过程. 当pn小于ni2，热产生过程 小注入条件下，对于n型材料复合率： 对于si，ge这样的间接带隙半导体，起主导作用的跃迁过程为体陷阱参与的间接复合或产生过程，体陷阱密度为Nt，其能级Et位于带隙中央。单能级时复合可用两种过程描述：电子俘获和空穴俘获。 单能级复合的静变化率可以由肖特基-里德-霍尔统计描述： 与单能级情形有类似的定性特征，但跃迁过程的 细节却有所不同，特别在大注入的情况即（ 接近多数载流子浓度），寿命近似是与全部带正电、负电和中性陷阱能级相联系的寿命平均值。 表面的各种缺陷作为复合中心 我们可以得到：静变化率与 成正比，静变化率的符号 决定了该过程为复合或产生过程 。当Et=Ei时，U最大，即对于 体陷阱能谱最有效的复合中心是带隙中央附近的能级。 对于n型半导体 n型半导体内的少数载流子（空穴）寿命） p型半导体内的少数载流子（空穴）寿命） 光致电子的跃迁可在不同能带之间发生，由此可测定能隙，跃迁也可以在同一个能带内发生。 电子的吸收系数 为光子能量， 除了电场之外，如果再加上温度梯度，也可产生电流 电场和温度梯度共同作用下的电流密度 电导率， 费米能级，P为温差电动势率（当开路情况下静电流为0，电场由温度梯度产生） N 型半导体P0 ，P型半导体P 0 静电方程 D为电位移矢量， 为电荷体密度 上述方程也称为泊松方程或高斯定律，对于一维问题，可以简化成如下更为常用的公式： 为半导体电势， 为本征费米能级 为电场强度 为半导体电容率，上述公式可用于确定耗尽层内由电荷体密度 引起的电势和电场分布，第二个方程解决界面上的电荷 密度。 基本方程 *