半导体集成电路第1章下.ppt

半导体集成电路 南京理工大学电光学院 第一章 集成电路器件与模型（下） MOS Spice模型 双极型晶体管及其模型 双极型晶体管基本工作原理 双极型晶体管大信号模型 双极型晶体管小信号模型 集成二极管的几种类型（续） 集成电路无源元件 集成电容 集成电阻 集成电路中MOS晶体管的几种主要效应 沟道长度调制效应 体效应（背栅效应） 短沟道效应 SPICE模型 SPICE是一种对集成电路进行模拟仿真计算的程序。它所用的模型即称为SPICE模型。 MOS管的SPICE模型一般有三种 LEVEL 1模型 Level 1是平方律模型，它是MOS晶体管的一级模型，适用于精度要求不高，沟道长度较长的MOS晶体管。 考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应 LEVEL 2模型 是基于几何图形分析的模型，是MOS管的二级模型。当沟道长度小于4~5微米时，LEVEL1模型不再适用。 考虑了各种二级效应，比如沟道长度对开启电压VTH的影响、漏栅静电反馈效应对VTH的影响、沟道宽度对VTH的影响；表面电场对载流子迁移率的影响等等。 适用于短而宽的器件（L~0.7微米）而不适用于长而窄的器件。 LEVEL 3模型 是一个半经验化模型，适用于长、宽不大于2微米的小尺寸器件。此模型公式既能比较精确的描述MOS器件中各种二级效应，又能节省计算时间。但其表达式是采用半经验公式。 计算公式中考虑了： 1.漏源电源引起的表面势垒降低而使阈值电 压下降的静电反馈效应. 2.短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响. 3.载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应 4.表面电场对载流子迁移率的影响. 四种工作情况 电路符号和电压电流符号约定 放大模式工作原理（以PNP为例） 在发射极-基极PN结，由于正向偏置，空穴从发射极被“注入”基极（发射，emitting） 在基极，由于基区很薄，掺杂浓度低，大部分空穴能扩散到基极-集电极的边缘。 在集电极结，反偏电场将空穴送入集电极。（收集，collecting） Ic=Icsexp(VBE/VT)=(qAEDbnb0/W)exp(VBE/VT) 基极电流补偿在基区与电子复合的空穴。此电流与集电极电流近似成正比。βF=Ic/Ib 典型值为50-200。 PNP型晶体管放大模式空穴浓度 电流示意图 其余工作模式 饱和模式，基区存在大量空穴，相当于闭合电路。饱和条件：Vce=Vbe-Vbc~0.1-0.2V。 反向有源模式，相当于集电极成为发射极，发射极成为集电极。但是由于原集电极相对于基区的掺杂浓度不高，放大效率并不显著。 截止模式，相当于开路。 晶体管的I~V特性曲线及Early电压 双极型晶体管大信号模型 饱和区的大信号模型 双极型晶体管小信号模型 混合π模型。与MOS晶体管的主要区别是多了一个有限的基-射电阻。 主要参数的计算 gmr0=VA/VT,是一个与晶体管工作点无关的量。对NPN管，典型值为2000-8000。这是单个管能达到的最大电压增益。 电阻rb模拟了基极接触和有效基区之间的半导体材料电阻。这个电阻虽然小，但却是限制高频、低增益双极型电路速度的一个重要因素，同时也是主要的噪声源。 双极型晶体管的速度指标 集成电路无源器件 一、电容 在高速集成电路中，有多种实现电容的方法： 1）利用二极管和三极管的结电容； 2）利用叉指金属结构； 3）利用金属-绝缘体-金属(MIM)结构； 4）利用多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构； 叉指金属结构和MIM结构电容 CMOS集成电容 MOS电容、多晶/多晶电容、金属/多晶电容 寄生电容 上极板寄生电容主要是连接电容的互联线引起的，下极板的寄生电容主要是下极板与衬底间形成的电容。一般是不可避免的。 电阻 实现电阻有三种方式： 1.晶体管结构中不同材料层的片式电阻（不准确） 2.专门加工制造的高质量高精度电阻 3.互连线的传导电阻 CMOS集成电阻 扩散电阻、多晶硅电阻、n阱电阻 0.8微米CMOS工艺下电容与电阻的主要特性 互联线 互连线设计应该注意以下方面： 大多数连线应该尽量短 保留足够的电流裕量 趋肤效应和寄生效应 单位增益频率：即晶体管电流降为1时的频率。这个值提供了有效使用晶体管的最高频率。 集成NPN晶体管与分立NPN晶体管的差别 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ C E B E(N+) B(P) C(N) NPN S(P) PNP （1）四层三结结构，构成了一个寄生的PNP晶体管（有源寄生） （2）电极都从上表面引出，造成电极的串联电阻和电容增大（无源寄生） 集成NPN晶体管的有源寄生效应 （1）NPN晶体管正向有源时 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ C E B E(N+) B(P)