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不同吸收系数光强与距离的关系 半导体中电子通过导带与价带之间的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收。 电子跃迁的选择定则：电子吸收光子产生跃迁时波矢保持不变。 几种不同半导体的吸收系数与波长的关系 例题：计算硅光电导体的增益。 n型硅，长度l = 100 um，横截面A=10-7cm2 ，少子寿命 ?p=10-6s，所加电压 V=10（V）。 解： 电子渡越时间为： 光电池的I-V特性曲线 传送到负载上的功率是： （3）太阳电池转换效率 太阳能转换效率定义：输出电能/入射光能 最大功率矩形 Im是V =Vm时的电流. 4、光电探测器 光电二极管是施加反向电压的p-n结二极管。采用特殊的制作封技术，使光可以穿透冶金结邻近区域。 光照之前反偏下少子分布 稳态下，光生少数载流子浓度与反偏pn结中光电流 p-n结光电二极管的光电流中扩散电流成分的时间响应相对比较慢，其最大频率响应为几十MHz。 （2）PIN光电二极管 （3）雪崩光电二极管假设耗尽禁区宽度10μm,饱和速度107cm/s：  （4）光电晶体管 1、辐射跃迁 产生光子发射的主要条件：系统必须处于非平衡态。 发光方式：电致（场致）发光、光致发光和阴极发光等。 2、电致发光激发机构 p-n结光电二极管的电流I = IL + IS。 p-n结光电二极管的光电流（IL）由三部分构成： p区扩散电流、n区扩散电流、空间电荷区漂移电流。 如果假定在整个二极管中光产生率GL都是一致的，则由于光照导致的电流增加量IL应该等于-q乘以每秒在体积为A（Ln+W+Lp）空间内由光产生的电子-空穴对，即IL = -q A（Ln+W+Lp）GL p-n结光电二极管电流方程 PIN光电二极管的瞬时光电流比普通光电二极管的大。 调制信号周期2?t ： 如果雪崩光电二极管的电流增益是20，则带宽增益是100GHz,器件可响应调制在微波频率的光波。 §1.4 半导体发光 如果电子从高能级向低能级跃迁时放出光子，这种跃迁称为辐射跃迁。否则称为无辐射跃迁。 基本跃迁方式包括： 带与带之间的跃迁 →本征跃迁 有杂质或缺陷参与的跃迁 热载流子在带内的跃迁 非本征跃迁 * * 半导体光电器件基础 学习重点： 1、半导体的光吸收 2、半导体光生伏特效应 3、半导体发光 §1.1 半导体的光吸收 媒质中光的衰减与光强度成正比, 1、光吸收系数 Iv0 Iv(x) Iv(x)+dIv(x) dx x 0 α为吸收系数，表示单位距离的光吸收。单位：cm-1。 积分得， 式中 光在媒质中传播1/α距离时能量减弱到原来能量的1/e。 k是媒质的消光系数。 Iv0 x 0 Iv α1 α2 α3 α4 α4α3α2α1 2、反射系数与透射系数 反射系数： 透射系数： 透射光强度 入射光强度 3、半导体的光吸收 （1）本征吸收 ：能够引起本征吸收的最低限度光子能量。 ：称为半导体的本征吸收限。 半导体禁带宽度Eg与λ0的对应关系 直接跃迁 直接跃迁：本征吸收过程中，保持电子波矢不变的跃迁称为直接跃迁。 间接跃迁 间接跃迁：本征吸收过程中，除了吸收光子外还与晶格交换能量的非直接跃迁称为间接跃迁。 当光子能量小于半导体禁带宽度时，价带电子受激发后虽然跃出了价带，但还不足以进入导带而成为自由电子，仍然受到空穴的为库仑场作用。受激电子和空穴互相束缚而结合在一起成为一个新的系统，这种系统称为激子。这样的光吸收称为激子吸收。 （2）激子吸收 激子消失途径 自由载流子在同一带内的跃迁所引起的吸收，称为自由载流子吸收。 （3）自由载流子吸收 束缚在杂质能级上的电子吸收光子跃迁到导带能级；空穴吸收光子而跃迁到价带，这种光吸收称为自由杂质吸收。 （4）杂质吸收 EI为杂质能级上电子或空穴的电离能。 光子能量直接转换为晶格振动动能的吸收，称为晶格振动吸收。 （5）晶格振动吸收 §1.2 半导体的光电导 1、附加电导率 2、定态光电导及其弛豫过程 （1）定态光电导( △σs ):恒定光照下产生的光电导。 设 I 表示以光子数计算的光强度，α为样品的吸收系数，则单位时间单位体积内吸收的光能量与光强度 I 成正比。 αI 等于单位体积内光子的吸收率，从而电子-空穴对的产生率可写为： β为量子产额 t 时刻光生载流子的浓度为： 设光生电子和空穴的寿命分别为τn和τp，则定态光生载流子浓度为： 则定态光电导为： △n =βαI t △n △ns