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* 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 3.3 CMOS 逻辑门 漏极D→集电极C 源极S →发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 Sect 二、 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 1.转移特性曲线 UDSUGS-UT UGS(V) ID(mA) UDS一定时，UGS对漏极电流ID的控制关系曲线 ID=f(UGS)?UDS=C UT UGS UT MOS管导通 UGS UT MOS管截止 UGS UT MOS管导通 UGS UT MOS管截止 NMOS PMOS ? MOS管衬底的处理 保证两个PN结反偏，源极—沟道—漏极之间处于绝缘态 NMOS管—UBS加一负压 PMOS管—UBS加一正压 处理原则： 处理方法： Sect 三、MOS管的开关特性 输入低电平，NMOS管截止； 输入高电平，NMOS管导通。 输入低电平，PMOS管导通； 输入高电平，PMOS管截止。 M OS管开关等效电路（理想情况下） 2. PMOS管开关等效电路。 当UGS≤-UT时,TP导通： 当UGS-UT时, TP截止： （等效开关 图同上） 1、NM OS 管开关等效电路 当UGS≥UT时, TN导通： ， 当UGSUT时， TN 截止 3.3.1CMOS非门 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 1．电路组成 VDD S2 T2 D2 T1 A F S1 D1 G1 G2 （1）功耗低 在静态时，T1 和T2 总有一个管子截止，因此静态电流很小，即使动态功耗较大，但与双极型逻辑电路相比， CMOS逻辑电路的功耗小的多。 （2）电源电压范围宽 工作电源UDD允许变化的范围大，一般3～18V均能工作。 （3）抗干扰能力强 输入端噪声容限可达到UDD/2 。 4．CMOS电路的优点 （5）带负载能力强 CMOS输入阻抗高，一般高达500MΩ以上，CMOS逻辑电路带同类门几乎不从前级取电流，也不向前级灌电流。考虑到MOS管存在输入电容，CMOS逻辑电路，可以带50个同类门以上。 （4）逻辑摆幅大 UOL≈0V，UOH≈UDD （7）成本低 CMOS集成度高，功耗小，电源供电线路简单，因此用 CMOS集成电路制作的产品，成本低。 当前，CMOS逻辑门电路，已成为与双极型逻辑电路 并驾齐驱的另一类集成电路，并且在大规模、超大规模 集成电路方面，已经超过了双极型逻辑电路的发展势头。 （6）集成度很高，温度稳定性好 功耗小，内部发热量少，集成度可以做得非常高。 又由于CMOS是NMOS和PMOS管互补组成，当外界温度 变化时，有些参数可以互相补偿。 3.4.1 TTL集成电路使用中应注意的问题 1.电源电压（UCC）应满足在标准值5V+10%的范围内。 2. TTL电路的输出端所接负载，不能超过规定的扇出系数。  (2).或门和或非门 ① 接地,  　　②.通过一个电阻接至电源地，或标准接低电平； 　　③.与其他信号输入端并接使用， 3. TTL门多余输入端的处理方法。 (1). 与门和与非门 ① 悬空, 相当于逻辑高电平， 但通常情况下不这样处理， 以防止干扰的窜入;  ②接电源,  ③通过一个上拉电阻接至电源正端, 或接标准高电平； ④ 与其他信号输入端并接使用, 