数字电路2013-1.ppt

基本器件的两个发展阶段 分立元件阶段（1905～1959） 真空电子管、半导体晶体管 集成电路阶段（1959～） SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI 分立元件阶段 电子管时代（1905～1948） 为现代技术采取了决定性步骤 分立元件阶段 晶体管时代（1948～1959） 宇宙空间的探索即将开始 集成电路阶段 集成电路阶段 集成电路制造技术的发展日新月异，当前比较有代表性的集成电路芯片主要包括以下几类，它们构成了现代数字系统的基石 电子计算机的发展 伴随着电子技术的发展而飞速发展起来的电子计算机所经历的四个阶段充分说明了电子技术发展的四个阶段的特性。 第一代（1946～1957）电子管计算机 第二代（1958～1963）晶体管计算机 第三代（1964～1970）集成电路计算机 第四代（1971～）大规模集成电路计算机 电子计算机的发展 EDA技术 纳米电子技术 二极管与门(续) 与逻辑关系，即“有低出低；全高出高”，所以，它是一种与门。 2. 二极管或门电路 3. 三极管反相器 4. 三极管与门、或门 电路结构 ①当vI＝VIL＝0.3V时 ②当vI＝VIH＝3.4V时 特点： 当输出为高电平时，其输出阻抗低，具有很强的带负载能力，可提供5mA的输出电流 TTL反相器的电压传输特性及参数 输入高电平噪声容限VNH和输入低电平噪声容限VNL的计算方法为 TTL反相器的输入特性和输出特性 带负载能力 门电路的负载能力通常用扇出系数N来表示。 扇出系数是指其在正常工作情况下，所能驱动同类 门的最大数目。 扇出系数的计算需要考虑两种情况，一种是拉电流 负载，即输出为高电平时的扇出数NH，另一种是灌电 流负载，即输出为低电平时的扇出数NL。 当反相器输出UOH时，拉电流IOH从反相器输出端流出到负载门。当负载门个数增加时，总的拉电流也会增加，这将引起输出高电平变低，但不得低于UOHmin 当反相器输出UOL时，灌电流IOL将从负载门流入到反相器，当负载门个数增加时，总的灌电流也会增加，这将使反相器输出低电平变高，但不得高于UOLmax。 TTL反相器的其它参数 工作原理： 2）或非门 三态TTL与非门（TSL－Three State Logic Gate） 其逻辑符号及逻辑功能控制端为低电平有效 三态门的用途 ⒈电路 CMOS或非门 CMOS传输门（TG门） CMOS传输门也是CMOS电路的基本单元，是一种传输信号的可控开关，它由一个P沟道和一个N沟道增强型MOS管并联而成。 ⒉工作原理（续2） TTL与CMOS电路的区别 CMOS门电路与TTL门电路的接口 CMOS和TTL电路之间连接时，为了达到匹 配，必须满足两个条件： 逻辑电平要匹配：驱动门输出的低电平要 小于负载门的输入低电平的上限值，而驱动门 输出的高电平要大于负载门输入的高电平的下 限值； 电流匹配：即驱动门必须为负载门提供足够的 灌电流或者拉电流，驱动电流要大于所有负载 门的电流之和。 1）CMOS门电路驱动TTL门电路 电源电压相同，两者的电平参数就能满足要求。 CMOS驱动TTL主要考虑驱动电流能力： 1）将两个以上CMOS门并联使用，可提高驱动电流； 2）在CMOS输出端增加一级CMOS同相输出缓冲器电路作为驱动门； 3）由三极管构成的电流放大器作为接口电路。只要合理选取放大器的电路参数，就能使电流放大器的低电平输出电流IOLnIIL（TTL门）。 2）用TTL门电路驱动CMOS门电路 如果TTL和CMOS电路采用相同工作电源时，TTL门输出低电平的最大值约为0.5V而74HC系列CMOS门电路输入的低电平上限值约为1.5V，符合电平匹配原则。但当TTL输出高电平下限值仅为2.7V，而74HC系列CMOS器件输入高电平的最小值则需要3.5V，显然不符合电平匹配原则。 需要考虑驱动问题！ 图中上拉电阻RP的值取决 于负载器件的数目以及TTL 和CMOS的电流参数，可以 采用OC门上拉电阻的计算 方法进行计算。 74LS138译码器： 74LS138真值表 （1） 显示器件 数字显示器件的种类很多，按发光物质的不同分为半导体（发光二极管）显示器、液晶显示器、荧光显示器和辉光显示器等；按组成数字的方式不同，又可分为分段式显示器、点阵式显示器和字型重叠式显示器等。 点阵式显示器主要用于大屏幕显示器，通常要有计算机控制其显示过程。 目前使用较多的是分段式显示器，其显示方式是通过七段显示器完成0～9十个字符的显示过程。 七段显示器主要有辉光数码管和发光二极管。半导体显示器使用最多，它有共阴极和共阳