数字电路逻辑第三章.ppt

补：半导体基础知识 半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物质 本征半导体 杂质半导体 异形半导体接触现象 PN结的单向导电性 半导体基础知识（1） 半导体基础知识（2） N型半导体 掺入5价元素，有5个价电子，形成共价键后多余1个自由电子，空穴浓度远小于自由电子的浓度。 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 半导体基础知识（2） P型半导体 掺入3价元素，有3个价电子，形成共价键后多余1个空穴，空穴浓度远大于自由电子的浓度。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 半导体基础知识（3） PN结的形成 空间电荷区（耗尽层） 扩散和漂移 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加正向电压 扩散作用大于漂移作用，形成正向电流，PN结导通，呈现正向电阻。 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加反向电压 漂移作用大于扩散作用，形成反向电流，PN结截止，呈现反向电阻。 半导体基础知识（5） PN结的伏安特性 第三章 门电路 3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 获得高、低电平的基本原理 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 3.2 半导体二极管门电路 半导体二极管的结构和外特性 （Diode） 3.2.1 二极管的开关特性： 二极管的开关等效电路： 二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS反相器和CMOS传输门是构成复杂CMOS逻辑电路的两种基本模块。 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 三、输入端噪声容限 结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 常用的有：或非门，与非门，或门，与门，与或非门，异或门等。 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 二、漏极开路的门电路（OD门） 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 四、三态输出门 三态门的用途 由于在工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称这类三极管为双极型三极管。 （BJT, Bipolar Junction Transistor） 一、双极型三极管的结构 二、双极型三极管的输入特性和输出特性 三、双极型三极管的基本开关电路 四、双极型三极管的开关等效电路 五、双极型三极管的动态开关特性 六、三极管反相器 一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（以NPN为例） 三极管的输出特性 三、双极型三极管的基本开关电路 工作状态分析： 图解分析法： 四、三极管的开关等效电路 五、动态开关特性 六 、三极管反相器 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 VI = VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。 例3.5.1：计算参数设计是否合理 例3.5.1：计算参数设计是否合理 将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路 当 当 又 因此，参数设计合理 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 需要说明的几个问题：