新能源发电技术2_太阳能光伏发电技术3.pptVIP

2.2.4肖特基结太阳能电池(9) MOS或MIS太阳能电池 在金属M和半导体S之间夹进一层极薄的氧化物O或绝缘体S构成MOS或MIS电池 具有比MS肖特基太阳能电池更高的开路电压和转换效率 2.2.5异质结太阳能电池(1) 异质结的构成及其能带图 形成半导体的两种材料不同：如硫化亚铜和硫化镉，硅和磷化镓等 突变结:两种材料的过渡区只有几个原子层(1?m) 缓变结:两种材料的过渡区长达几个少子扩散长度 根据构成异质结的两种半导体材料的导电类型 反型结：导电类型相反的两种半导体构成PN 同型结：导电类型相同的两种半导体构成PP P-N反型异质结能带图 两种材料紧密接触后，电子由N区流向P区，直到费米能级拉平qUD=EF2-EF1 形成内建电场，出现能带弯曲 2.2.5异质结太阳能电池(2) 异质结的构成及其能带图 N-P异质结、N-N异质结和P-P异质结能带图 主要是?Ec和qUD不同 考虑界面态时的能带图 两种材料的的性能不同而带来的界面态 2.2.5异质结太阳能电池(3) 突变异质结的电特性 内建电动势和势垒宽度 通过泊松方程推导UD和势垒宽度 结电容 通过微分电容定义C=dQ/dU 2.2.5异质结太阳能电池(4) 突变异质结的电特性 异质结的正反向伏安特性 扩散模型 发射模型 发射－复合模型 隧道－复合模型 隧道模型 2.2.5异质结太阳能电池(5) 异质结太阳能电池的构造和工作原理 P型基片，N型顶区层，顶区层栅状金属电极，地面金属电极 异质结光生伏达效应 内建电动势?由N指向P, 有光照时，光生电压与?方向相反 2.2.5异质结太阳能电池(6) 光电流 JL(?)= J1(?)+ J1(?)+ J2(?)+ J2(?) 中性区和耗尽区的电流密度 一般认为，磷化镓－硅，硫化锌－硅，硒化锌－砷化镓，砷化铝－砷化镓，砷化铝镓－砷化镓可以作成良好的太阳能电池 2.2.5异质结太阳能电池(7) 光电压 最大开路电压与能带结构有关 最大开路电压小于内建电动势UD 2.2.5异质结太阳能电池(8) 异质结太阳能电池的效率 与同质结太阳能电池分析方法相同 与禁带宽度小的材料做成的同质结太阳能电池效率相当 异质结太阳能电池优点 禁带宽度大，避免死层 减少表面薄层电阻,串连电阻不发生高掺杂效应 用多种材料禁带宽度调节光谱相应范围 2.2.5异质结太阳能电池(9) 异质结太阳能电池的效率 影响效率的因素还有 表面反射 界面反射 暗电流 暗电流 同质结电池：扩散电流（注入电流）复合电流隧道电流 异质结电池：隧道电流复合电流扩散电流（注入电流） 2.3太阳能电池制造工艺 硅材料来源 优质石英砂，也称硅砂，以大量的硅酸盐矿和石英矿存在于自然界中 硅砂（焦炭电炉）硅铁(冶金铁,含硅97%-99%) 盐酸 三氯氢硅?(CH4硅烷) 还原＋氢气 多晶硅 硅在地壳中的含量为27.7%，在所有的元素中居第二位，地壳中含量最多的元素氧和硅结合形成的二氧化硅SiO2，占地壳总质量的87%。 由于硅易于与氧结合，自然界中没有游离态的硅存在 硅有晶态和无定形两种同素异形体。 2.3.1 硅材料制备(1) 硅材料来源 晶态硅分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点1410C,沸点2355C,密度2.32~2.34g/cm3，莫氏硬度为7。 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅不如单晶硅。 2.3.1 硅材料制备(2) 硅材料来源 硅元素 2.3.1 硅材料制备(3) 2.3.1 硅材料制备(4) 多晶硅锭制造 杜邦法：SiCl4锌还原法 三氯氢硅法（西门子法） 制作三氯氢硅(TCS) 分馏TCS达到PPb级超纯 化学气相沉积法还原成多晶硅 硅烷法 成本和质量都比三氯氢硅法高 2.3.1 硅材料制备(5) 多晶硅锭制造 多晶硅基片（铸造型、硅带型）的生产 铸造法 硅带法或膜片法 铸锭多晶硅制备 加工费用降低 2.3.1 硅材料制备(6) 单晶硅锭的制造 切可劳斯基法 把籽晶引向熔融的硅液，然后旋转提拉，粒大的单晶硅棒按照籽晶生长 熔化硅前掺杂 可以拉制直径大于6英寸，重达百千克的大型单晶硅 区熔法 高频线圈环绕单晶硅棒加热，局部熔化，反复提纯 也称浮区熔法，是目前制造高效和超高效单晶硅太阳能电池唯一方法 2.3.1 硅材料制备(7) 片状硅制造 减少了切割损失 定边喂膜法、硅筒法等，未大规模工业