大尺寸平面磁控靶高功率脉冲放电的近基底表面光谱研究.pdf

第46 卷 第 6 期 表面技术 2017 年6 月 SURFACE TECHNOLOGY ·117 · 大尺寸平面磁控靶高功率脉冲放电的近基底表面 光谱研究 左潇 1,2 ，陈仁德 1,2 ，柯培玲 1,2 ，王铁钢 3 ，汪爱英 1,2 （1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所 中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室，浙江 宁波 315201；2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所 浙江省海洋材料与防护技术重点实验室，浙江 宁波 315201；3.天津职业技术师范大学 天津市高速切削与精密加工重点实验室，天津 300222） 摘 要： 目的探索高功率脉冲磁控溅射方法在大尺寸平面磁控溅射 Cr 靶过程中，近基底表面等离子体区 域内的活性粒子分布特性以及辐射跃迁过程，为HiPIMS 的规模化应用提供实验基础和理论依据。方法 选 择不同高功率脉冲溅射脉冲电压、工作气压和耦合直流等关键沉积参数，采用等离子体发射光谱仪测量近 基底表面等离子体区域内的光学发射光谱，分析原子特征谱线的种类、强度分布、离子谱线强度百分比、 金属原子谱线含量等。结果 当脉冲电压到达700 V 后，基底表面的等离子体区域内的金属离化率显著提高； 脉冲电压为600 V 时，适当增加工作气压至5.0 mTorr，能有效提高到达基底的Cr 激发态粒子含量，工作气 + * 压的升高会降低金属离化率。增加耦合直流在一定程度上降低了能到达基底的活性 Cr 和 Cr 原子含量，为 了保持一定的活性粒子比例，耦合直流应当小于1.0 A。结论 大面积高功率脉冲磁控溅射中的近表面等离子 + * + * 体区域内的主要活性粒子为Ar 和Cr 激发态原子，其主导的碰撞过程为Ar 的电离复合过程和Cr 的退激发 过程，金属离化率还有待提高。 关键词：高功率脉冲磁控溅射；近基底表面区域；发射光谱；耦合直流 中图分类号：TG174.442 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2017)06-0117-08 DOI ：10.16490/ki.issn.1001-3660.2017.06.018 Optical Emission Spectroscopy Diagnosis of Plasma Near Substrate Surface in Large Scale Planar HiPIMS 1,2 1,2 1,2 3 1,2 ZUO Xiao , CHEN Ren-de , KE Pei-ling , WANG Tie-gang , WANG Ai-ying (1. Key Laboratory of Marine Materials and Application Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineer- ing, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China; 2. Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Acade