基于量子点鄄cbp混合层的量子点led的制备-engineeringjournal.pdf

第36卷摇 第10期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾36 No郾10 2015年10月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Oct. ,2015 文章编号:1000鄄7032(2015)10鄄1106鄄07 基于量子点鄄CBP混合层的量子点LED的制备 1* 2 胡摇 炼 ,吴惠桢 (1. 江南大学 理学院,江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏 无锡摇 214122;摇 2. 浙江大学 物理系,浙江 杭州摇 310027) 摘要:采用一锅法制备出高质量的具有核壳结构的CdSe@ZnS、CdZnS/ ZnS量子点。 将量子点混入空穴传输 材料CBP 中形成复合的有源材料,经过几步简单的旋涂操作,制备出相应的绿光、蓝光量子点LED器件。 这 种方法利用了油溶性量子点和CBP材料的相容性,减少了旋涂操作的步骤,有利于快速制备基于量子点的电 致发光器件。 基于两步旋涂操作制备的量子点LED,由于阴极与复合有源层之间的能级差较大,导致需要较 高的开启电压。 在CBP材料中,注入的载流子有可能会被量子点表面缺陷捕获,形成表面态的发光。 表面态 发光的相对强度依赖于载流子浓度。 关摇 键摇 词:量子点;核壳结构;LED;空穴传输材料;电致发光;表面态发光 中图分类号:O482.31摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1106 Preparation of Quantum Dot Light鄄emitting Diodes Based on The Quantum Dots鄄CBP Hybrid 1* 2 HU Lian ,WU Hui鄄zhen (1. JiangsuProvincialResearch Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, School of Science,Jiangnan University,Wuxi214122,China; 2. Department of Physics,Zhejiang University,Hangzhou310027,China) *Corresponding Author,E鄄mail:lianhu@ Abstract:Highquality CdSe@ZnSand CdZnS/ ZnSquantumdots (QDs)withcore/ shell structures were synthesized by the one pot method. The two types of QDs were mixed with the hole transport material CBP,respectively. The CBP颐QDshybridswere spin coated asthe activelayers. The green and blue emitting QD light鄄emitting diodes (LED) can be preparedwith simple spin coating opera鄄 tion. This method reducesthe stepsof spin coating becausethehybrid of CBP and QDsisspin coa鄄 ted together,thus the QD鄄LED can