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目录第一章重点掌握内容：1第二章　放大电路的基本原理3第二章重点掌握内容：16第三章放大电路的频率响应23第四章功率放大电路30第五章　集成运算放大电路32第六章　放大电路中的反馈42重点掌握内容：概念半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如硅和锗。半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而自由电子为少子。N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。P6,图1.2.5二极管的伏安特性。P7，（1.2.1式）二极管方程Is为反向饱和电流，Ut为温度的电压，当温度T=300K时，Ut=26mV.其死区电压：Si管约0.5V，Ge管约为0.1V 。其导通压降：Si管约0.7V，Ge管约为0.2V。这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ。11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。（参考P40）三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。两个结：集电区——基区形成的PN结。叫集电结。（JC）基区——发射区形成的PN结。叫发射结。（Je）三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C。对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC。并有：IE =IB+ IC三极管也有硅管和锗管，型号有NPN型和PNP型。(注意电路符号的区别。可用二极管等效来分析。)三极管的输入电压电流用UBE、IB表示，输出电压电流用UCE、IC表示。即基极发射极间的电压为输入电压UBE，集电极发射间的电压为输出电压UCE。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=IC / IB (或IC=β IB)和开关作用.15、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性）与二极管正向特性很相似，也有：死区电压：硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。导通压降：硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。（这两组数也是判材料的依据） 16、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性)有三个区:P15，图1.3.7①饱和区:特点是UCE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件JC, Je都正偏.②截止区:特点是UBE ≦0, IB=0, IC=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件JC, Je都反偏.③放大区: 特点是UBE大于死区电压, UCE﹥1V, IC=β IB.其偏置条件Je正偏JC反偏.所以三极管有三种工作状态,即饱和状态 ,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.如果集电极电流方向发生改变则工作在放大区；如果基极电流方向发生改变则工资在截止区。二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。G、因V1正向电压为10V，V2正向电压13V，使V2先导通，（将V2短路）使输出电压U0=3V，而使V1反偏截止。h 、同理，因V1正向电压10V、V2正向电压为7V，所以V1先导通（将V1短路），输出电压U0=0V，使V2反偏截止。（当输入同时为0V或同时为3V，输出为多少，请同学自行分析。）三、书P36习题：1-13、1-14、1-15 第二章　放大电路的基本原