第7章 固体物理2_55的5803503.pptVIP

第 七 章 固体的电子能带;§7.5 半导体(Semiconductor) ;· 电子导电 . . . . . . 半导体的载流子是电子;二. 杂质半导体;空 带; 设 Si中P的含量为10－4 ， Si 原子数：～1022 cm－3 P 原子数：～1018 cm－3;; 设 Si中B的含量为10－4 ， Si 原子数：～1022 cm－3 B 原子数：～1018 cm－3;3. n型化合物半导体;三. 杂质的补偿作用;1. P-N结的形成;;;电子的能带会出现弯曲;2. Ｐ－Ｎ结的单向导电性;;;反向伏安特性曲线;§7.7 半导体激光器;;;GaAs同质结半导体激光器;体积小;+ -;(2) 异质P-I-N结; 异质结激光器的特点： (1)无须重掺杂， (2)GaAs的折射率比两侧高5%,全反射，把激光束限制在激活区内， (3)阈值电流密度低,可在室温下连续工作。 ;;;;;;世界上第一支晶体管;肖克利;后来，晶体管又从点接触型发展到面接触型。;做成集成电路;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2000年诺贝尔物理学奖获得者; 1970年，贝尔实验室的 江崎和朱兆祥设想 用两种晶格的半导体材料交替生长成周期结构， 人工制作新的晶态。 每层材料的厚度 ≤100 nm， 1972年已实现 称为超晶格。;超晶格使电子在生长方向的运动受到限制 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;量子阱 ? 二维;低维电子系统 纳米尺度;能级分裂，间距增大;例：量子阱激光器;? 波长向短波方向变化 ;共振隧道晶体管的原型; 1,000个原子组成的固体 表面原子数占原子总数的 48.8%;;物质粒径的减小 比表面积大大增加 键态严重失配 出现许多活性中心;单根碳纳米管构成的场效应管;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;石墨烯;;;;;;;