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§1-2 PN结原理 (1).两种半导体结合后，由于浓度差产生载流子的扩散运动? 结果产生空间电荷区?耗尽层（多子运动）。 PN结形成 * * 掺入杂质是一个绝妙的构想。P、N杂质半导体放在一起的效果会怎样？ P区 N区 PN结 PN结单向导电特性 + + + + + + + + + P N 载流子要从浓度大 区域向浓度小的区域 扩散,称载流子的扩散 的运动 (2).空间电荷区产生?建立了内电场?产生载流子定向运动（漂移运动） (3).扩散运动产生扩散电流；漂移运动产生漂移电流。 动态平衡时：扩散电流=漂移电流。 PN结内总电流=0。 PN结的宽度一定 。 把载流子在电场作 用下的定向移动称 为漂移运动 一.PN结的基本原理： （一）.PN结的形成： 当扩散运动↑?内电场↑?漂移运 动↑?扩散运动↓?动态平衡。 自由电子 空穴 + + + + + + P N + + + PN结的形成 P区 N区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流 内电场 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡 PN结的形成 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动 扩散运动产生扩散电流 漂移运动 少子向对方漂移,称漂移运动 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。 PN 结 稳定的空间电荷区， 又称高阻区， 也称耗尽层。 ? V? PN结的接触电位 ? 内电场的建立，使PN结中产生电位差。从而形成接触电位V?/导通电压UON /开启电压UT 接触电位V?/导通电压UON /开启电压UT 决定于材料及掺杂浓度 硅： V?=0.7V 锗： V?=0.2-0.3V PN结的单向导电性 1. PN结加正向电压时的导电情况 外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响 PN结呈现低阻性。 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 内 外 PN结的单向导电性 2. PN结加反向电压时的导电情况 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。 内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。 PN结呈现高阻性 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏； 内 外 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结的单向导电性 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 P N + - - - - - - - - - + + + + + + + + 由于接触面载流子运动形成PN结示意图 内电场 - + 扩散运动 漂移运动 PN结变窄 P N + - R 外加正向电压示意(导电） PN结变宽 P N - + R 外加反向电压示意（截止） 正向电流If 反向电流Is PN结加正向电压时电阻很小，电流大。 加反向电压时电阻很大，电流小。 PN结的单向导电性总结 结论：PN结具有单向导电性。 PN结的实质 PN结=空间电荷区=耗尽层=阻挡层=势垒层=内电场=电阻 PN结的单向导电性 单向导电性： PN结正偏时导通（大电流）， PN结反偏时截止（小电流）。 式中 Is ? 反向饱和电流; UT = kT/q ?温度电压当量。 k ? 波尔兹曼常数（1.38×10-23J/K)； T=300k（室温）时 UT= 26mv（很重要） PN结电流方程（重点） 由半导体物理可推出： PN结两端的电压与 流过PN结电流的关系式 * *