ⅱ一ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展 research progress ofⅱ-ⅵ group semiconductor nanocrystals doping.pdfVIP

与 纳米材料结构 Nanomaterial St ructure 族半导体纳米晶体的掺杂研究进展  ⅡⅥ ， １２ ２ ２ ２ ２ １ ， ， ， ， ， 王醉 马锡英宋经纬陈中平杨爱国姚江宏 　 南开大学物理科学与技术学院天津 （ ， ； １． ３０００７１ 　 绍兴文理学院光电材料研究所浙江绍兴 ， ） ２． ３１２０００ 　 　 摘要介绍了 族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺综述了掺杂对半导体 ：  ； ⅡⅥ 、 ； ； 纳米晶体的光电特性的影响列举了近几年掺杂技术取得的研究成果重点阐述了现阶段利用 胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理以及掺杂效率所存在的问题引进新型掺杂理论 、 。 ———动力学理论，该模型忽略了扩散作用的影响，重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况，可 以有效解释 族纳米半导体的掺杂机理，提高掺杂浓度。最后，对其未来的发展方向进行了  ⅡⅥ 展望指出开创新型掺杂理论研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来 族纳米半导 ， 、  ⅡⅥ 体的主要研究方向。 关键词半导体纳米晶体掺杂光电特性胶体法掺杂机制 ： ； ； ； ； 中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３８３ＴＮ３０４．２５ Ａ １６７１－４７７６２００９０７－０４０４－０６ 　 　 犚犲狊犲犪狉犮犺犘狉狅狉犲狊狊狅犳犌狉狅狌 犵 ⅡⅥ 狆 犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犖犪狀狅犮狉狊狋犪犾狊犇狅犻狀 狔 狆犵 ， １２ ２ ２ ２ ２ １ ， ， ， ， ， ＷａｎＺｕｉＭａＸｉ