a1掺杂zno薄膜的xps谱及电学性质研究 study on x-ray photoelectron spectroscopy spectra and electrical properties of al doped zno thin films.pdfVIP

第l期 微细加工技术 №．1 2008年2月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Feb．．2008 文章编号：1003．8213(2008)01．0026．05 n P Al掺杂ZO薄膜的XS谱及电学性质研究 李丽1，方亮2，李秋俊1，陈希明1，董建新2，冯世娟1 (1．重庆邮电大学数理学院，重庆删5；2．重庆大学数理学院，重庆400044) 掺杂的znO(AzO)薄膜。用x射线光电子能谱仪对退火处理后的薄膜进行了成分和元素的价态 der 分析，并用Van Pauw方法对样品的电学特性进行了测量。实验结果表明，zn和Al元素都以 氧化态的形式存在，O元素主要是以晶格氧和吸附氧的形式存在。Az0薄膜的电学性质受退火温 度和氧氩比的影响较大。随着退火温度的升高，电阻率减小，载流子浓度和迁移率增大。随着氧 氩比的增大，电阻率增大，迁移率减小。因此可得到用直流反应磁控溅射法制备AzO薄膜的最佳 氧氩比和退火温度分别为0．3／27和400℃，在此条件下制备出的薄膜电阻率可低至10-4Q·cm， 载流子浓度可达1020cm～。 关键词：Az0薄膜；xPs谱；电学性质 中图分类号：TN304．055文献标识码：A 性质等进行了研究。但是有关工艺参数对电学性能 1 引言 和xPS谱的研究尚不够系统，因此对其组织结构和 电学性质进行深入研究非常必要。本文研究了用直 氧化锌(znO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构 流反应磁控溅射法在玻璃基底上沉积的Al掺杂的 的宽禁带Ⅱ．Ⅵ族半导体材料，由于其有着独特的电 znO薄膜的xPS谱和电学性质，并重点研究了退火 学和光学特性，在太阳电池、紫外探测器、声表面波 处理和氧氩比对电学性质的影响，另外还探讨了 器件、气敏传感器、透明电极等方面得到了广泛的应 AzO薄膜的导电机制。 用。由于Al掺杂的znO薄膜(AzO)具有与ITO薄 膜相比拟的光电性能(可见光区高透射率和低电阻 2 实验 率)，又因其价格较低以及在氢等离子体中的高稳定 性等优点，已经成为替代昂贵的ITO薄膜的首选材 采用JGP450型高真空磁控溅射仪用直流反应 料和当前透明导电薄膜领域的研究热点之一。自从 磁控溅射法在玻璃基底上沉积Al掺杂的znO薄膜。 1996年第一篇关于znO的紫外发光的报道发表 实验前分别用丙酮、酒精、去离子水彻底对基底进行 后…，人们对znO薄膜的研究进入了一个新的高 清洗。所用靶材为zn靶，其纯度为99．99％含Al 潮。然而为了开发znO基的光电产品，对其电学性 1．5％，靶直径为60mm。氧气和氩气分别作为反应 质的研究显得必不可少。 沉积过程的反应气体和溅射气体。实验条件如表l 目前，尽管国内外有很多文献[2—5]报道了用所示。 不同的方法、不同的条件、在不同衬底上生长出zn0 将在氧氩比为0．3／27的条件下制备出的AzO 薄膜，并对它们的结构、光学性能、晶体质量及电学 薄膜样品放入L13130型卧式退火炉中，采用N，退 收稿日期：2007一04—21；修订日期：2007．05．15 作者简介：李丽(1979一)，女，河南开封人，硕士，讲师，现从事光电子薄膜材料方面的研究工作；方亮(1968一)，男，四川乐 山人，博士，教授，现从事光电子功能薄膜材料、半导体照明、表面处理与涂层技术、发光材料等方面的研究工作。 万方数据