cu金属化系统双扩散阻挡层的研究 study on double diffusion barriers of cu metallization.pdfVIP

徼电子器件与技术． Microelectronic DeviceTechnology Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究 王晓冬1，吉元乙，钟涛兴扫，李志国西，夏洋3刘丹敏五，肖卫强五 (1．中国人民武装警察部队学院基础部，河北廊坊065000； 2．北京工业大学a．固体微结构与性能研究所；b．电子信息与控制工程学院，北京100022； 3．中国科学院微电子中心，北京 100029) 摘要：采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡 性能；采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结 构；利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明，双 阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上，并对Cu具有一定的阻挡效果，而SiON层则 有效地阻止了Cu向Si02中的扩散。与Ta阻挡层相比，双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡 层的Cu膜的{111l织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后，薄膜样品应力平均值为206 MPa；而电镀Cu膜后，样品应力平均值为-661．7MPa。 关键词：Cu互连；氮氧化硅；钽；扩散阻挡层；二次离子质谱仪；X射线衍射仪 中图分类号：TGl46．1l；TN405．97 onDoubleDiffusionBarriersofCuMetallization Study Taoxing五,LiZhiguo压,XiaYan93，LiuDanmin=,Xiao WangXiaodon91，JiYuan五,Zhong Weiqiangh Police Chinese ArmedForces (1．BasicDepartmerk，thePeople’S Academy,Lan曰Cang065000，China；2．a．Instituteof and Microstnwture Materials；b．School PropertyofAdvanced ofElectronicInformation＆ControlEngineering，Beoing RD Chinese 100022,China；3．MicroelectronicsCenter,The Univers毋ofTechnology，Belling AcademyofSciences， Belling100029，China) barrier ofdoublebarrierswithSiONandTa andTabarrierswere Abstract：The performances layers tested secondionmass orientationstructuresofCu byusing spectrometry(SIMS)．Crystallography filmswithandwithoutTabarrierswerestudied stress byusingX-raydiffraction(XRD)．r11le distributionofCufilmswithdoublebarri