cu掺杂浓度对zno薄膜的结构、透光性和电学性质的影响 effects of cu dopant on the structure, light transmittance and electrics properties of zno films.pdfVIP

第6期 微细加工技术 No．6 2008年12月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Dee．。2008 文章编号：1003．8213(2008)06—0016—03 Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响 徐庆岩1，一，吴雪梅1，一，诸葛兰剑2，一，陈学梅1，一，吴兆丰1，3 (1．苏州大学物理科学与技术学院，江苏苏州215006；2．苏州大学分析测试中心， 江苏苏州215006；3．江苏省薄膜材料重点实验室，江苏苏州215006) 摘要：采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示， 适当的cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度；用紫外分光光度计测量了样品的透光性，结果显示，随掺杂量 的增加，其透光性减弱，但在cu掺杂量为9．6％时其透光性还在60％以上。用四探针测量了样品的表面电阻率， 薄膜的电阻率随cu掺杂量的增加而增加。 关键词：cu掺杂；ZnO薄膜；电光学性质 中图分类号：TN305 文献标识码：A 1引言 导电玻璃，溅射靶为直径60 材到基片架的距离为60ITlm。将若干铜片(纯度优于99％) 用银胶均匀地粘贴在氧化锌靶上，溅射反应气体为Ar气(纯 透明导电氧化物(TCO)半导体薄膜具有较大的禁带宽度 度为99．999％)。在正式溅射前先预溅射10rain。衬底温度 (3eV)和红外截止特性，在可见光区有较高的透射率 为室温，溅射气压为2Pa，功率为150W，时间为20rain，薄膜 (80％)，在近中红外区具有高反射率(60％)，对微波具有 厚度约为300nm。 较强的衰减性等…1，目前研究最多并已得到应用的透明导电 用Rigaku 薄膜有SnO，ln203和ZnO及其掺杂Sn02：Sb，In203：Sn和 06 ZnO：A1等。 A=0．154 近年来，人们开始对ZnO基透明导电薄膜开展了研究， 面轮廓仪测薄膜样品的膜厚，用紫外．可见光(uV—VIS)分光 结果表明，通过掺杂可以改进薄膜的透明导电性能，如通过掺 光度计(JASCOV一570)测量基片为石英的不同cu掺杂浓度 杂Al，Ga，Fe等，透射率优于85％，电阻率低于10-4Q·cm的 的ZnO薄膜的透射光谱，用RST．9型四探针电阻率测试仪测 ZnO基透明导电薄膜-2J，ZnO室温下禁带宽度为3．37eV，具 薄膜的电阻率。 有高的激子结合能(60meV)，远大于ZnSe(20meV)和GaN (21meV)的激子结合能，使得ZnO成为一种具有应用潜力 3结果与讨论 的短波光电子材料。朋兴平等bJ进行了cu掺杂ZnO的发光 性能研究，结果表明，ZnO中cu的掺杂量影响材料的发光性 能，但没有进行电学性能的研究，并且cu的掺杂量也不高 x射线衍射图，结果表明，掺杂和未掺杂样品均显示纤锌矿形 (最高3％)。 本文利用射频反应磁控溅射在导电玻