esd应力下的扩散电阻及模型击穿特性 punch-through characteristics of diffused resistor and its model under esd stress.pdfVIP

， 第38卷筹4期 徽电子学 V文38，No．4 2008年8月 Microelectronics Aug。2008 ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性 路香香h2，罗宏伟2，姚若河1，林志成3 (1．华南理工大学物理科学与技术学院，广州510640；2．电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级燕点 实验室，广州510610；3。华南爆范大学物理与电信工程学院，广髑510006) 摘要： 随着集成电路的尺寸越来越小，其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感，而电阻在ESD 保护电路中可敬起到隔离争分孱的作雳。砖ESD藏力下扩散电阻的四个送域：线娃嚣、饱争送、雪 崩倍增和负微分电阻黻、二次击穿区的模型进行了分析。通过TLP实验对大电流作用下的电阻特 性进行验证研究，试验分析了扩散电阻的ESD保护特性；着重讨论了二次击穿区，即热击穿区，的 电阻特槛，得壹电阻懿热击穿最先发生在鬻极一一n结，继续加大电莲会便跟极一弱极阁完全热烧毁 的结论。 关键词： ESD应力；扩散电阻；TLP测试；二次击穿 巾强分类号：TN406 文豢椽谖弼：A ESD CharacteristicsofDiffusedResistorandItsModelUnderStress Punch-through LU 1：2，LUO Ruohel，LIN XiangxiangHongwei2，YAOZhichengs SchoolSouthChina 510640，P．R．China of (1．Physical UniversityofTechnology，Guangzhou and Electronic 510610，P。匙China1 2。National forReliabilityPhysicsApplicationTechnologyof Product，Guangzhou KeyLaboratory andTelecommunicdtion Normal 510006·P。R。China) 3．蔽秘。ofPhysics Engineering。SouthChinaUniversity，Cruangzhou Abstract：DiffusedresistormodelunderESDstressin and sec— linear，saturation，multiplicationsnapback，and characteristicsunder currentwerestudied breakdownwasanalyzeResistor large through善渖 ondary regions ofthediffusedresistorwerediscussed，withonresistorcharac- characteristics emphasis experimenL渤protection teristicsof breakdownorthermalbreakdown wasconcludedthatthermalbreakdown