esd保护低噪声放大器的分析与设计 analysis and design of low noise amplifier with esd protection.pdfVIP

第42卷第5期 微电子学 V01．42，No．5 2012年10月 MicroPZecfronics ()ct．2012 ESD保护低噪声放大器的分析与设计 段 炼1，黄 伟2，马成炎1～，叶甜春1 (1．中国科学院微电子研究所，北京100029；2．杭州中科微电子有限公司，杭州310053) 摘 要： 针对封装和ESD寄生对源极电感反馈结构低噪声放大器的影响，进行了详细的理论分 析。在已发表文献的基础上，加入对ESD寄生引起的输入匹配网络改变的考虑，给出了新的噪声 L1 系数公式。根据分析结果，提出设计时的考虑。采用o．18“mCMOS工艺，设计了一款GPS 波段的单端低噪声放大器。测试结果显示，电路增益达到18 V电 dB，噪声系数为2．2dB；在1．8 压下，电流消耗为4．5mA。 关键词： GPS接收机；低噪声放大器；ESD保护 732 中图分类号：TN 文献标识码：A and ofLow AnalysisDesign Noise withESDPrOtection Amplifier DUAN Tianchunl I。ianl，HUANG Wei2，MA Chengyanl～，YE (1．J竹盯n“fP C^iese 100029，P．R．C^i”口 o厂A彳抒roP，Pc}ro打甜s，丁hP AⅢdPⅢyo，SfiP小℃5，BPzJing MzcroefP(}ronifs 2．Hnng。^o“Z^o”g惫P Co．，Lfd．，HⅡgz^o“310053，P．R．(流in) Effectsof of andESDdevices Abstract： parasitics on 10、v—noise were package inductivelydegeneratedamplifier in Basedon detail． of dueto ofESDdevices analyzed publishedworks，change networks inputmatching parasitics wastakeninto anewnoise formula Based and considerations，and was