mems可变电容的研究现状及进展 status and progress of mems variable capacitors.pdfVIP

MEMS器件与技术 MEMS DeviceTechnology MEMS可变电容的研究现状及进展 李玲玉1’2，童 富h2，杨月寒1’2，赵建明 刘海文2 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054； 2．中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，成都 610209) 有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点，阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理， 列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值，比较不同结构 的MEMS可变电容的特点，展望了MEMS可变电容的发展并得出结论。 关键词：平行板可变电容；面积调谐可变电容；微机电系统(MEMS)；Q值；调谐范围；射频 中图分类号lTH703；TM532．5 and of Status MEMSVariable Progress Capacitors Li Yuehanl”，Zhao Haiwen2 Lingyul”，TongFul“，Yang Jianmin91，Liu and (1．State ElectronicThinFilms Devices， KeyLaboratoryof Integrated ElectronicScienceand of 610054，China； University TechnologyofChina，Chengdu 2．State KeyLaboratoryofOpticalTechnologiesforMicrofabrication。InstituteofOpticsElectronics。 Chinese 610209，China) ofSciences，Chengdu Academy basedonthemicro—electronmechanical Abstract：Variable capacitors areintroduced．Thehavethemeritsof and capacitors Q，lowlOSS，widetuningrange gY high lownoise．Thebasic forMEMSvariable is several design capacitorspresented，and principle structureare characteristisofMEMSvariableca—