la基高k栅介质的研究进展 development of la-based high-k gate dielectric.pdfVIP

纳米材料白结构 NanomateriaI8t La基高忌栅介质的研究进展 陈 伟“2，方泽波2，马锡英2，谌家军1，宋经纬“2 (1．西华师范大学物理与电子信息学院，四川南充637002I 2．绍兴文理学院物理与电子信息系，浙江绍兴312000) 摘要：SiO：作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求，高k栅介质材料成为当前研 究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义，总结了La基高k栅介 质材料的最新研究进展，以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法，指出了有可能成为下一代 优异的候选材料及理论指导，这是一项当务之急且浩大的工程。 关键词；高k栅介质；La基氧化物；二氧化硅I金属氧化物半导体场效应晶体管；摩尔定律 中图分类号：0484．4文献标识码：A文章编号：1671—4776(2010)05—0282—08 ofLa-BasedGateDielectric Development High··k Chen Zeb02，MaXiyingz，ChenJiajunl，SongJingweil’2 Weil”，Fang and WestNormal 637002， ElectronicInformation，ChinaUniversity，Nanchong (1．CollegeofPhysics ArtsandScience， College China；2．DepartmentofPhysicsInformationEngineering，Shaoxingof 312000，China) Shaoxing willno meetthe of ofMOSFETdevices，and Abstract：Si02longer highintegration requirements materialsas dielectricsbecomearesearchfocus．Thesatisfiedvarious high—k gate performance indexesandtheresearch of dielectricmaterialsaredescribed．Thelatest significancehigh-kgate ofLa-based materialsaresummarized。andsome dielectric experimental developmentshigh—kgate methodsareusedtocorrectthedrawbacksofLa—based dielectricmaterials．Several high—kgate La-basedmaterialsofthenext ofMOSFETdielectricsare high-k generation gate predic