icp刻蚀在微加速度传感器制作中的应用 application of icp etch in the fabrication of micro-accelerometer sensors.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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icp刻蚀在微加速度传感器制作中的应用 application of icp etch in the fabrication of micro-accelerometer sensors.pdf

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icp刻蚀在微加速度传感器制作中的应用 application of icp etch in the fabrication of micro-accelerometer sensors

显徼、测量、徼纽加工技术与设备 ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用周敬然“2，张海英1，瞿鹏飞2，董玮2，刘彩霞2 (1．中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室，北京100029； 2．吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室，长春130012) 摘要：针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究，探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响，最终在硅基底上荻得了线宽为40Fm时深刻蚀的最佳工艺参数，即采用BOSCH工艺，压力设定为6Pa，在刻蚀过程中通入流量为100cm3／rain的SF6气体，持续11S，射频功率20W，源功率450 W，保护过程中通入流量为75cm3／min的C4F8气体，持续10 S，射频功率0W，源功率220W，得到了最佳刻蚀结果，并利用此工艺制作出了量程为 ±12g，灵敏度为79mV／g，精度高于±2％微机械加速度传感器。关键词：微机电系统(MEMS)；加速度传感器；反应离子刻蚀；高深宽比；深刻蚀 ofICPEtchintheFabricationof Application Micro-AccelerometerSensors Zhou Wei2，LiuCaixia2 Jingranl”，ZhangHaiyin91，QuPengfei2，Dong (1．RFICDepartment，Institute 100029，China； ofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences．BeOing 2．State on ElectronicScienceand KeyLaboratoryIntegrated Optoelectronics，Collegeof Engineering， Jilin University，Changchun130012，China) ICP wasfurther Abstract：The studied．Theeffectsofthe flowrate．RF etchingtechnology gas power and chamber onthe resultwere of etching pressureetching discussed．Finally，theoptimumparameters theICP with wide etching40弘m linesonthesiliconsubstratewere theBOSCHtechnolo— gotten．Using withthe of6 flowrateis100 for11 RF 20W gy Pa，theSF6 cm3／min Swiththe of and pressure power thesource of450W the