mems压电超声换能器二维阵列的制备方法 fabrication method of 2-dimensional piezoelectric micromachined ultrasonic transducer arrays.pdfVIP

加工、测量与设备 and Processing，MeasurementEquipment MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法 富 迪，陈 豪，杨 轶，任天令，刘理天 (清华大学微电子学研究所，北京 100084) 摘要：针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题，提出了一种基于硅一硅 键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法，并采用该方法制备了阵元间距小至 150“m的密排二雏换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下 电极和支撑层组成的多层膜结构，并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的 测试结果表明，采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列，具有阵元间距小、工艺流程可靠、 成品率高、一致性好、工作频率(2，45MHz)与设计值(2．5MHz)的吻合度高等优点，适用 于医学成像等高频超声成像系统。 关键词：硅一硅键合；微机电压电超声换能器(pMUT)；PZT膜；高频换能器阵列；医学超声成像 中图分类号：TP212；TN64文献标识码：A 文章编号：1671_4776(2011)08一0523—05 of FabricationMethod2一DimensionalPiezoeIectricMicromachined UltrasonicTransducer Arrays FuDi，Chen Yi， Ren LiuLitian Hao，Yang Tianling， (J聍s￡if“￡P 100084，C巩i咒口) D，MicroPZPc￡rD咒if5，孔i咒g^z‘nLkiw，Isify，BeiJi竹g Afabricationmethodof2D Abst阳ct： micromachinedultrasonic piezoelectric transducer(pMUT) basedonthesilicon—siliconwas to the solvethe that ele— arrays bondingpresented problemsarray ment washardto the was etc．The 2D density improve，processrepeatabilitypoor， compact with elementdown transducer the to1 wasfabricatedthismethod．Each array pitch 50弘m by inthe consists element ofthe electrode，PZT