mocvd制备pzt薄膜技术研究 study on mocvd technology for pzt film deposition.pdfVIP

第38卷第2期 微电子学 V01．38。No．2 2008年4月 Microelectronics Aor．2008 MOCVD制备PZT薄膜技术研究 阮勇，任天令，谢丹，林惠旺，刘理天 (清华大学微电子学研究所，北京100084) 摘 要： 量(Ar、Oz)、衬底转速、蠕动泵速等，制备不同组分PZT薄膜；给出了不同衬底的PZT淀积结果。 PZT薄膜的均匀性大于±5％，尺寸为25～200mlTl，厚度50-～500n121。经XRD测试，可得PZT薄 膜已形成钙钛矿结构。SEM分析也表明，制备出的PZT表面致密均匀。 关键词： MOCⅧ；PZT；压电；铁电 中图分类号：TN386．1 文献标识码：A onMOCVD forPZTFilm Study Technology Deposition RUAN