mosfet驱动电路分析与设计 analysis and design for mosfet gate drive circuits.pdfVIP

通住电潦技术 2013年3月25日第30卷第2期 TelecomPower Mar．25，2013，V01．30No．2 Technology 文章编号：1009—3664(2013)02—0034—04 MOSFET驱动电路分析与设计 包尔恒 (深圳麦格米特电气股份有限公司，广东深圳518057) 摘要：文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法；分析了MOSFET开关过程中电流电压的变化规律；最后对常用 的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据MOSFET门级驱动电路的特点及设 计过程中需要考虑的影响因素，为可靠、高性能的MOSFET应用设计提供参考。 关键词：MoSFET；驱动电流；开通关断；驱动电路 中图分类号：U270。TN86 文献标识码：A Drive and ForMOSFETGate Circuits AnalysisDesign BAO Er-heng 518057，China) (ShenzhenMEGMEETElectricalCo．，Ltd．Shenzhen currentandthedriver articleintroducedthecalculationmethodofthedrive Abstract：The power circuit inthe thecommondrive thevariationofthecurrentand MOSFET vohage switchingprocess；finally，summarized solutionsandtheir and and areferencefor disadvantagesdesignconsiderations；provided advantages basedonthecharacteristicsofMOSFETdrivecircuitandneedtoconsiderthe anceMOSFET gate impact applicationdesign offactorsin of processdesign． and circuit words：MOSFET；driviecurrent；turn-onturn-off；drive Key 这里需要注意几个容易忽略的问题：(1)内部引线栅极 功率场效应晶体管(简称PowerMosfet)是所有 全控型电力电子器件中工作频带最宽的一种，因此在 输入电阻Ib，降低了开关速度和dv／dt耐受能力；(2)