电子技术(第七版2011修改)PPT第十四章.ppt

14.6.3 光电晶体管 光电晶体管用入射光照度E的强弱来控制集电极 电流。当无光照时, 集电极电流 ICEO很小, 称为暗 电流。当有光照时, 集电极电流称为光电流。一般 约为零点几毫安到几毫安。 常用的光电晶体管有3AU, 3DU等系列。 (b) 输出特性曲线 (a) 符号 C E 在一般的检 测电能和光电 转换中作为转 换元件。 作业： P30:A选择题 14.1.1、14.3.1、14.3.3、14.4.1、14.5.2、14.5.4、14.5.7 P32:B基本题 14.3.7、14.4.3、14.5.9 * * * 在图14.4.3中，通过稳压二极管的电流IZ等于多少？R是限流电阻，其值是否合适。 例14.4.1 解： R=1.6kΩ UZ=12V IZM=18mA DZ IZ +20V 图14.4.3 14.5 双极型晶体管 14.5.1 基本结构 常见晶体管的外形图 (b) 合金型 铟球 N型锗 B E C P P 铟球 (a) 平面型 B E P 型硅 N型硅 二氧化硅保护膜 N 型硅 C (b) 合金型 铟球 B E C P P 铟球 (b) 合金型 铟球 B E C P P 铟球 (a) 平面型 B E P 型硅 N 型硅 C (a) 平面型 B E P 型硅 N 型硅 C 14.5 晶体管 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (b)PNP型晶体管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化，是CCCS器件。 (a) NPN 型晶体管； 电流方向和发射结与集电结的极性 (4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (b) PNP 型晶体管 3.三极管内部载流子的运动规律 IE IBE ICE ICBO 发射结正偏, 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE , 多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB IB = IBE- ICBO ? IBE ICE与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB = 0, 则 IC ? ICE0 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 14.5.3 特性曲线 即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。 研究特性曲线目的： (1) 直观地分析管子的工作状态 (2) 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 1. 输入特性 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6