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(9-*) § 9.5 光电器件 发光二极管 光电二极管 光电晶体管 有兴趣的同学自学！ (1-*) 结 束 (9-*) 例：已知：Uz = 12V，IZM = 18mA，R = 1.6KΩ。 试求：Iz = ? 限流电阻 R 的阻值是否合适？ 解： Iz = ( 20 – Uz ) / R = ( 20-12 ) / 1.6x103 = 5mA 因：IZ IZM 故：限流电阻 R 的阻值合适 P252：例 9.3.1 (9-*) 负载电阻： 例：稳压管的技术参数: uo iZ DZ R iL i ui RL 解： uimax = 1.2ui → 流过稳压管的电流为 IZmax 试求：限流电阻 R 和输入电压 ui 的正常值。 要求：ui 发生?20%波动时，负载电压基本不变。 (9-*) uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程 ①、② 可解得： uimin = 0.8ui → 流过稳压管的电流为 IZmin (9-*) § 9.4.1 基本结构 § 9.4 晶体管 常见：硅管主要是平面型，锗管都是合金型 (a)平面型 (b)合金型 B E P型硅 N型硅 SiO2保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 结构图 (9-*) NPN型晶体管 PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B N N C E B P C E T B IB IE IC 符号 B E C P P N E T C B IB IE IC 符号 (9-*) 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 三极管的结构特点 集电区： 结面积最大 (9-*) B E C N N P 放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC § 9.4.2 电流分配和放大原理 从电位的角度看： (9-*) 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 各电极电流关系 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 (9-*) IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大的变化。 放大实质：用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，晶体管是电流控制器件。 晶体管电流测量数据 结论 (9-*) IC IE IB + UCE ? + UBE ? C T E B ? ? ? ? NPN型 晶体管 + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? PNP型 晶体管 晶体管起放大作用的条件： 发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 应满足：UBE 0，UBC 0 即: VC VB VE 应满足：UEB 0，UCB 0 即: VC VB VE (9-*) 观看录像 管子构成特点、外加偏置电压如何 影响其内部载流子运动？ 管子内部载流子如何分配？电流间 关系如何？ 温度对电流的影响 (9-*) 电流分配和放大原理 B E C N N P EB RB EC IE IBE 基区空穴向发射区的扩散可忽略. 进入P 区的电子除极少数与基区空穴复合，形成