第2章 逻辑门电路(新).ppt

方法一：采用专用的CMOS→TTL电平转换器，如CC4049(六反相器)或CC4050(六缓冲器)。由于它们的输入保护电路特殊，因而允许输入电压高于电源电压UDD。例如，当UDD=5V时，其输入端所允许输入的最高电压为15 V， 而其输出电平在TTL的UIH和UIL的允许范围内。应用电路如图2.9 - 2(a)所示。 方法二：采用CMOS漏极开路门(OD门)，如CC40107。 当UDD=5 V时，其IOL≥16mA， 应用电路如图2.9 - 2(b)所示。 方法三： 用分立三极管开关。应用电路如图2.9-2(c)所示。 方法四： 将同一封装内的门电路并联应用，以加大驱动能力。 图 2.9 – 2 CMOS→TTL的接口 3) 用门电路驱动大电流负载的接口电路 大电流负载通常对输入电平的要求很宽松，但要求有足够大的驱动电流。最常见的大电流负载有继电器、脉冲变压器、显示器、指示灯、可关断可控硅等。普通门电路很难驱动这类负载，常用的方法有如下几种：  方法一：在普通门电路和大电流负载间，接入和普通门电路类型相同的功率门(也叫驱动门)。有些功率门的驱动电流可达几百毫安。 方法二：利用OC门或OD门(CMOS漏极开路门)做接口。 把OC门或OD门的输入端与普通门的输出端相连，把大电流负载接在上拉电阻的位置上。 方法三：用分立的三极管或MOS管做接口电路来实现电流扩展，为充分发挥前级门的潜力，应将拉电流负载变成灌电流负载，因为大多数逻辑门的灌电流能力比拉电流能力强，例如TTL门74××系列的IOH=0.4 mA，IOL=16 mA。 下图是一个用普通TTL门接入三极管来驱动大电流负载的电路。  用三极管实现电流扩展 设负载的工作电流IC=200mA，三极管的β=20，则三极管的基极电流iB=10mA。若不接R1、VD1、VD2，而把三极管的基极直接接TTL门的输出端，则iB对TTL门构成拉电流， 其值已远远超过TTL门拉电流的允许值，使其UOH大大降低，以致无法工作在开关状态，甚至会因超过允许功耗而损坏。 接入R1、VD１、VD２后，当TTL门输出UOH时，VD1截止，iB由+5V→R1→VD2的支路提供，对TTL门不产生影响。当TTL门输出UOL时，由+5V→R1→VD1的支路向TTL门灌入电流，只要R1取值合适，就可以使灌电流保持在TTL门所允许的范围内。 若门电路是CMOS门，则应把双极性三极管换成MOS管。由于CMOS门的拉电流和灌电流基本相等， 故R1、VD1、VD2应当去掉，但必须在门的输出端和MOS管的栅极间串接一个电阻，并且保留R２。 ☆ 使用集成电路时的注意事项 （1）对于各种集成电路，使用时一定要在推荐的工作条件范围 内，否则将导致性能下降或损坏器件。 （2）数字集成电路中多余的输入端在不改变逻辑关系的前提下 可以并联起来使用，也可根据逻辑关系的要求接地或接高电 平。TTL电路多余的输入端悬空表示输入为高电平；但CMOS 电路，多余的输入端不允许悬空，否则电路将不能正常工作。 （3）TTL电路和CMOS电路之间一般不能直接连接，而需利用 接口电路进行电平转换或电流变换才可进行连接，使前级 器件的输出电平及电流满足后级器件对输入电平及电流的 要求，并不得对器件造成损害。 　　①利用半导体器件的开关特性，可以构成与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等各种逻辑门电路，也可以构成在电路结构和特性两方面都别具特色的三态门、OC门、OD门和传输门。 　　②随着集成电路技术的飞速发展，分立元件的数字电路已被集成电路所取代。 　　③TTL电路的优点是开关速度较高，缺点是功耗较大。 　　④CMOS电路具有制造工艺简单、功耗小、输入阻抗高、集成度高、电源电压范围宽等优点，其主要缺点是工作速度稍低，但随着集成工艺的不断改进，CMOS电路的工作速度已有了大幅度的提高。 小 结 (10) 噪声容限VNH和VNL： 当与非门的输入端全接高电平时，其输出应为低电平，但是若输入端窜入负向干扰电压，就会使实际输入电平低于UON，致使输出电压不能保证为低电平。在保证与非门输出低电平的前提条件下， 允许叠加在输入高电平上的最大负向干扰电压叫高电平噪声容限(或叫高电平干扰容限)，记作VNH。其值一为： VNH=UOH-UON=2.4-2=0.4V 式中，UOH=2.4V是输出高电平的