第3章第1.2节光敏电阻新.pptVIP

应用电路举例 上一页 下一页 回首页 回末页 结束 第三章 §3.1.2 光敏电阻 * 第三章 光电信息转换 回首页 3.1.2 光敏电阻 Photoconductive -------光敏电阻(PC) 利用具有光电导效应的材料（如Si、Ge等本征半导体与杂质半导体，以及CdS、CdSe、PbS等）可以制成电导率随入射光辐射量变化而变化的器件，这类器件被称为光电导器件或光敏电阻，简称PC。 问题：什么是光电导效应？ 物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，引起载流子浓度的变化，从而改变了物质电导率的现象称为光电导效应。 一．结构与原理 光敏电阻利用光电导效应制成。当入射光子使电子由价带跃升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴二者均参与导电，因此电阻显著减小，称为光敏电阻。 §3.1.2 光敏电阻 优点： 光谱响应相当宽。 响应光强范围宽，即可对强光响应，也可对弱光响应。 无极性之分，使用方便，成本低，寿命长。 灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。 缺点：强光照射下线性较差，频率特性也较差。 Ubb Ip Ip 金属电极 光电导材料 入射光 光敏电阻原理及符号 光敏电阻符号 1工作原理 2 结构 在一块均匀光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其他绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。 三种结构形式 二. 光敏电阻的主要参数 光敏电阻的主要参数有： (1) 暗电阻 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻， 此时流过的电流称为暗电流。 (2) 亮电流 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。 (3) 光电流 亮电流与暗电流之差称为光电流。 三 光敏电阻的基本特性 (1) 伏安特性 在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。图为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。由图可见，光敏电阻在一定的电压范围内，其I-U曲线为直线。说明其阻值与入射光量有关，而与电压电流无关。 图 硫化镉光敏电阻的伏安特性 （2）光照特性 光敏电阻的光照特性是描述光电流I和光照强度之间的关系，不同材料的光照特性是不同的，绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。图8-3为硫化镉光敏电阻的光照特性。 I＝KU a L b 式中 I ——通过光敏电阻的电流；  U ——加于光敏电阻的电压； L ——光敏电阻上的照度；  K ——材料决定的比例系数； a ——电压指数，一般近于1； b ——照度指数。 图8-3 光敏电阻的光照特性 图8-4 光敏电阻的光谱特性 (3) 光谱特性 光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称为光谱响应。图8-4 为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。 对应于不同波长，光敏电阻的灵敏度是不同的，而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。从图中可见硫化镉光敏电阻的光谱响应的峰值在可见光区域，常被用作光度量测量（照度计）的探头。而硫化铅光敏电阻响应于近红外和中红外区， 常用做火焰探测器的探头。 图8-5 光敏电阻的频率特性 （4） 频率特性 实验证明，光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化，即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性，这种惰性通常用时间常数表示。 大多数的光敏电阻时间常数都较大， 这是它的缺点之一。 不同材料的光敏电阻具有不同的时间常数（毫秒数量级）， 因而它们的频率特性也就各不相同。 图8-5为硫化镉和硫化铅光敏电阻的频率特性， 相比较，硫化铅的使用频率范围较大。 图 8-6 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性 (5) 温度特性 光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应，同时光敏电阻的灵敏度和暗电阻也随之改变，尤其是响应于红外区的硫化铅光敏电阻受温度影响更大。图8-6为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线，它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。因此，硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。对于可见光的光敏电阻， 其温度影响要小一些。 光敏电阻具有光谱特性好、允许的光电流大、灵敏度高、使用寿命长、体积小等优点，所以应用广泛。此外许多光