第九章、存储器和可编程逻辑.pptVIP

数字电子技术;第9章 存储器和可编程逻辑器件;9.1 半导体存储器;按制造工艺来分：;二、掩膜只读存储器（ROM）;ROM的基本结构 ;二极管ROM结构图 ;ROM的数据表 ;3.MOS管ROM;2. 一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要进行编程，但只能编程一次。;3. 紫外线擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术，可通过紫外线照射而被擦除，可重复擦除上万次。;   ;1）SRAM的基本结构;2）SRAM静态存储单元;2.动态随机存储器(DRAM);V;①写入信息时，字线为高电平，VT导通，位线上的数据经过VT存入CS。;四、存储器容量的扩展;2. 字扩展方式－－增加地址端个数;用256×8 位的RAM扩展为1024×8 位RAM的系统框图; 自20世纪60年代以来，数字集成电路已经历了从SSI、 MSI、LSI到VLSI的发展过程。数字集成电路按照芯片设计方法的不同大致可以分为三类： ① 通用型中、 小规模集成电路； ② 用软件组态的大规模、 超大规模集成电路， 如微处理器、 单片机等； ③ 专用集成电路(ASIC-Application Specific Integrated Circuit)。 ASIC是一种专门为某一应用领域或为专门用户需要而设计、制造的LSI或VLSI电路，它可以将某些专用电路或电子系统设计在一个芯片上， 构成单片集成系统。 ;1. PLD连接的表示;3. 与门及或门的表示;与阵列; 低密度可编程逻辑器件的集成密度小于每片700 个等效门，它主要包括PROM、PLA、PAL和GAL四种器件。 ;一、可编程只读存储器PROM ;例：试用PROM实现4位二进制码到Gray码的转换。;二、可编程逻辑阵列PLA ;与;时序型PLA基本结构图 ;1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0;③求状态、驱动和输出方程;④画阵列图;三、可编程阵列逻辑PAL ;例：试用PAL实现下列逻辑函数。;2.PAL的四种输出结构;②可编程I/O输出结构;③寄存器输出结构;I; GAL是在PAL的基础上发展起来的，具有和PAL相同的与或阵列，即可编程的与阵列和固定的或阵列。不同的是它采用了电擦除、电可编程的E2PROM工艺制作，可以用电信号擦除并反复编程上百次。GAL器件的输出端设置了可编程的输出逻辑宏单元OLMC（Output Logic Macro Cell），通过编程可以将OLMC设置??不同的输出方式。这样同一型号的GAL器件可以实现PAL器件所有的各种输出电路工作模式，即取代了大部分PAL器件， 因此称为通用可编程逻辑器件。 GAL器件分两大类：一类为普通型GAL，其与或阵列结构与PAL相似，如GAL16V8（V表示输出方式可变）、GAL20V8 、ispGAL16Z8都属于这一类；另一类为新型GAL，其与或阵列均可编程， 与PLA结构相似，主要有GAL39V8。 ;优点： ① 采用电擦除工艺和高速编程方法，使编程改写变得方便、 快速，整个芯片改写只需数秒钟，一片可改写 100 次以上。 ② 采用E2CMOS工艺，保证了GAL的高速度和低功耗。存取速度为 12～40 ns，功耗仅为双极性PAL器件的1/2或1/4，编程数据可保存 20年以上。 ③ 采用可编程的输出逻辑宏单元(OLMC)，使其具有极大的灵活性和通用性。 ④ 可预置和加电复位所有寄存器，具有100%的功能可测试性。 ⑤ 备有加密单元，可防止他人非法抄袭设计电路。;缺点： GAL和PAL一样都属于低密度PLD，其共同缺点是规模小，每片相当于几十个等效门电路，只能代替 2～4片MSI器件，远达不到LSI和VLSI专用集成电路的要求。 另外，GAL在使用中还有许多局限性，如一般GAL只能用于同步时序电路，各OLMC中的触发器只能同时置位或清0，每个OLMC中的触发器和或门还不能充分发挥其作用，且应用灵活性差等。这些不足之处，都在高密度PLD中得到了较好的解决。 ;1. 阵列扩展型高密度可编程逻辑器件 ;2. 现场可编程门阵列FPGA ;FPGA的基本结构 ;第9章 小结