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第二十八章 第四节
4-7 半导体及界面效应 p-n结的形成 p-n结的电结构 p-n结的能带结构 p-n结的单向导通 * * 一、 p-n结的形成 如果将p型半导体与n 型半导体接触，或将纯净半导体的一侧掺以受主杂质制成p区，另一侧掺以施主杂质制成n区则两区域的交界面就构成p-n结。 二、p-n结的电结构 1、空间电荷区 (1)浓度差引起载流子扩散 (2)扩散的结果形成空间净电荷区 2、内建电场 (1)方向：n—p (2)作用： 阻止电子继续扩散 促使少子定向漂移 (3)动平衡 内建电场稳定 净电流为零 3、接触势垒 (1)结内电势差 (2)电势对载流子的影响 阻挡多子扩散 促使少子漂移 三、p-n结的能带结构 四、p-n结有单向导通 外加电压对载流子运动的影响 1、正偏压 2、负偏压 结型晶体管 b e c 场效应晶体管（MOS） 太阳能电池（光生伏打效应） 微电子技术 第一台电子计算机： 1946年，机重：30t ，体积：170m3，有18000个真空电子管。 1948年，晶体管问世并取代电子管。 1960年，集成电路问世。其线宽20mm 1970年，大规模集成电路出现。 1981年，第一台PC问世，其CPU芯片有200000个晶体管。 2001年，CPU晶体管晶体管，线宽0.18mm
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