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第九章 异质结 由两种或两种以上不同半导体材料接触形成的pn结。 2、异质结能带图 3、异质结的应用 （1）提高少子的注射效率 （2）调制掺杂技术提高载流子的迁移率 （3）窗口效应 （4）异质结激光器 粒子数占据反转： 导带中存在有大量电子， 价带中存在有大量空穴。 4、考虑界面态时的能带图 5、半导体超晶格 由交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程的人造材料。 制备方法： 分子束外延（MBE）-单原子的生长 金属有机化合物汽相淀积（MOVCD） 分类： （1）成分超晶格 周期性改变薄层的成分而形成的超晶格。 （2）掺杂超晶格 周期性改变同一成分的各薄层中的掺杂类型而形成的超晶格。（NIPI晶体） 子能带 * * 1、分类 （1）导电类型 ①反型异质结 p-n Ge-GaAs或 （p）Ge-（n）GaAs ②同型异质结 n-n Ge-GaAs或 （n）Ge-（n）GaAs ③双异质结 （n）Ga1-xAlxAs-（p）GaAs -(n）Ga1-xAlxAs （2）过渡区 ①突变结：过渡区小于1μm ②缓变结：过渡区大于1μm （3）能带结构的不同 GaAs AlxGa1-xAs 跨立型 GaAs1-xSbx InxGa1-xAs 错开型 GaSb InAs 破隙型 半金属 电子空穴分离 EcB EFB EvB EcA EFA EvA EcA EFA EvA χA WA χB WB ΔEv ΔEc qVD qVDA qVDB χA E0 χB 正向偏压 电子注射效率 n型宽禁带半导体和p型窄禁带半导体构成的异质结 主要是注入p型半导体中的电子电流 注入n型半导体中的空穴电流可忽略 p型宽禁带半导体和n型窄禁带半导体构成的异质结 提高空穴注射效率 npn晶体管 n 调制掺杂 + 场效应管频率特性 Eg1 Eg2 hv Eg1hvEg2 光电池 a1 a2 p233 b c b c z *