薄膜过程检验规范.docxVIP

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薄膜过程检验规范

1.目的和范围规范过程检验,确保产品满足顾客要求。2.职责生产技术部,品质部负责对过程进行进监视和测量。3.检验要求3.1沉积镀膜(CVD):3.1.1 沉积镀膜技术要求:CVD SpecSystemLayeravg. THK(nm)Dep. time(sec)Uniformity(%)avg. Edge(nm)avg. Rs(??□)Remarks1ARC2Front ZnO3PIN4Back ZnO3.1.2测试频率:1).每次更换B2H6后均要进行测试;2). 每班次进行首片检验;3.2激光划线(Laser):3.2.1 激光划线技术要求:1). P1根据RMS测试结果进行判定,NG cell数量≥10时,玻璃NG.2) .P2、P3、P4用台阶仪进行观察测试,划线沟槽边缘应整齐,划线深度P2=? P3=? P4=?3.2.2测试频率:P1每片检,P2、P3、P4每班次进行首片检验3.3溅射镀膜(sputter):3.3.1 溅射镀膜技术要求:厚度均匀性3.3.2 测试频率每次更换靶材后需测试3.4 刷银浆技术要求:3.4.1 厚度均匀性线条3.4.2测试频率:丝网印刷?次后进行检验3.5.薄膜电池片检验要求:3.5.1膜层上有斑点,判NG;3.5.2膜层划伤,判NG;3.5.3膜层脱落,判NG;3.5.4膜层异常及色差,判NG;3.5.5玻璃破碎或裂痕,判NG;3.5.6检测频率:QC对每片进行检测。3.6 镀锡铜带、Insulation Film、耐高温胶带、银胶、小方形EVA及喷砂判定标准3.6.1偏移:3.6.1.1两条Lead Wire应分别在最边缘Cell中间位置处,不可以跨越P3与P4线;3.6.1.2Bus Wire应在Insulation Film中间位置处。Bus Wire与Lead Wire垂直交接处,Bus Wire一端应与Lead Wire外侧边缘平齐;3.6.1.3玻璃边缘处条形Insulation Film一端应与 Lead Wire内侧边缘平齐;玻璃中间位置处条形Insulation Film一端应压在小方形Insulation Film上方。3.6.1.4小方形EVA与小方形Insulation Film应四周对齐,且四边与玻璃四边平行放置,EVA与膜层面接触。3.6.2翘起:镀锡铜带、Insulation Film均不允许有翘起。3.6.3银胶: Lead Wire与膜层接触处要有银胶,且银胶量适中(会根据机台实际情况定),不可偏少。3.6.4喷砂判定标准:玻璃边缘喷砂宽度应大于或等于12mm,且不可超过P4线。喷砂处要喷砂完全。3.6.5当发现有上述偏移,翘起,漏点银胶及喷砂不良时,均需返工。3.6.6检测频率:QC对每片进行检测。3.7薄膜组件检验要求:3.7.1铺设:背玻应与膜层玻璃四边对齐,EVA铺设时要保证四边均外露。铺设背玻后两根Bus Wire均需折向背玻表面,并贴上耐高温胶带,耐高温胶带要保证将圆孔与Bus Wire全部覆盖上。3.7.2修边修边结束后,上下玻璃边缘应对齐,修边需平滑,无毛刺,无缺口。3.7.3接线盒:接线盒与背玻连接胶四周胶量应均匀,胶体无气泡。3.7.4电性检测镀锡铜带应与接线盒焊接良好,不可有虚焊,漏焊及焊接过度。用万用表检查电路是否导通。同时看双玻整体外观及修边是否有异常。3.7.4.1焊锡融化后应覆盖Bus Wire和 Junction Box Terminal接触面积的55%,如下图一;Bus Wire和 Junction Box Terminal焊锡时应物理性黏贴,如下图二;3.7.4.2 LED Lamp On 状态下DVM DC Voltage 测定值应>0V,测试位置如下图所示:3.7.4.3不可以出现漏焊,如果出现漏焊,则需要返工;漏焊如下图:3.7.4.4不可以出现虚焊,如果出现虚焊,则需要返工;虚焊如下图:3.7.4.5焊接后,接线盒终端线不应短接,如出现则需返工,短接如下图:3.7.4.6焊接时,焊接位置不能出现偏移,如出现则返工,偏移如下图:3.7.4.7焊接过度导致焊锡高出接线盒卡扣边缘,则返工。3.7.4.8双玻如果发现有裂纹或边缘破碎,则判NG。3.7.4.9Trimming修边不许有毛刺,背玻面不许有胶斑,有则判NG,并返工。3.7.5Potting胶不许有未固化好导致流淌或者固化后有气泡现象,有则判NG,并返工。3.7.5 检验频率:QC对每片进行检测,巡检员或组长进行巡检。3.8终检:3.8.1检查玻璃面是否有色差,如有则判NG,色差如下图:3.8.2检查背玻面整体外观是否正常,如背玻上有胶斑,则需清理干净,胶斑如下图:3.8.3检查玻璃是否有裂纹,如有则判NG;裂纹见下图:3.8.4Hi-Pot测试应

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