第八章 半导体材料.ppt

外延技术：气相外延、液相外延和气束外延。 外延工艺具有生长温度低、原料能得到有效提纯、杂质污染少、可控掺杂等特点，可以得到任意厚度、完整性好和均匀性好的外延片。 异质薄层材料——异质外延生长 晶体外延生长技术：在适当的衬底(一般是单晶片)上，在合 适的条件下沿衬底的结晶轴方向生长一层晶格结构完整 的单晶薄层的方法。 根据衬底材料与外延层在结构和性质上的区别，外 延生长可分为同质外延和异质外延。 同质外延是衬底材料与 外延层为同一种材料，异质外延则是不同的材料。 异质薄层材料——异质外延生长 异质外延生长是指不相同材料相互之间的外延生长。 AlxGa1-xAs/GaAs表示外延薄膜/衬底; x,1-x分别代表Al, Ga的相对含量。 2、超晶格 1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念。 他们设想如果用两种晶格匹配很好的半导体材料交替地生长周期性结构，每层材料的厚度在100nm以下，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造微波器件。 半导体量子阱和超晶格的出现标志着人们不仅可以利用自然界中已存在的半导体，而且可以人工制造新型的半导体材料。 人们对这种新型的半导体材料进行了广泛的研究，发现了许多新的物理现象，并且制成了许多性能比由体材料制成的器件更好的器件。 由于量子阱、超晶格是由两种材料组成的，所以可选择不同的材料，设计具有不同禁带宽度和光学性质的量子阱、超晶格，制作新型的光电器件，这称为“能带剪裁工程”。 超晶格结构就是外延层在生长方向上的周期排列。 在GaAs衬底上有一个由100nm的Al0.5Ga0.5As层和10nm的GaAs层组成的重复结构， Al0.5Ga0.5As(100nm)/GaAs(10nm)/…/ Al0.5Ga0.5As(100nm)/GaAs(10nm)/ /GaAs 因AlGaAs组成在生长方向具有周期性，所以该结构称为超晶格结构。 称其为超晶格是因为它的晶格周期并不是取决于材料的晶格常数(α=0.5nm)，而是取决于交替子层的重复周期，与电子平均自由程相关的超晶格周期对于能否产生量子效应是一个重要参量。 　 可见，超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。 掺杂超晶格 多维超晶格 超晶格种类 组分超晶格 应变超晶格 ①组分超晶格 在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格，见下图。 在组分超晶格中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界面处将发生能带的不连续。 ②掺杂超晶格 掺杂超晶格是在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料。见下图。 在n型掺杂层，施主原子提供电子，在p型掺杂层，受主原子束缚电子，这种电子电荷分布的结果，产生系列的抛物线形势阱。 掺杂超晶格的优点： 任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格。 多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般较小(107-109cm3)，所以杂质引起的晶格畸变也较小。因此，掺杂超晶格中没有象组分超晶格那样明显的异质界面。 掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到未调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于对各分层厚度和掺杂浓度的选择。 ③多维超晶格 一维超晶格与体单晶比较，具有许多不同的性质，这些特点来源于它把电子和空穴限制在二维平面内而产生量子力学效应，进一步发展这种思想，把载流子再限制在低维空间中，可能会出现更多新的光电特性。 ④应变超晶格 初期研究超晶格材料时，除了AlGaAs/GaAs体系以外，对其他物质形成的超晶格的研究工作不多。原因是它们之间的晶格常数相差很大，会引起薄膜之间产生失配位错而得不到良好质量的超晶格材料。 但如果多层薄膜的厚度十分薄时，在晶体生长时反而不容易产生位错。也就是在弹性形变限度之内的超薄膜中，晶格本身发生应变而阻止缺陷的产生。因此，巧妙地利用这种性质，制备出晶格常数相差较大的两种材料所形成的应变超晶格。 SiGe/Si是典型ⅣA族元素半导体应变超晶格材料，随着能带结构的变化，载流子的有效质量可能变小，可提高载流子的迁移率，可做出比一般Si器件更高速工作的电子器件。 根据两种材料的能带在异质结界面处“对接”情况不同，又分为I,II型超晶格。I型超晶格：以GaAs/AlAs为代表，小带隙材料GaAs的禁带完全“落”在大带隙材料AlAs的禁带中。电子和空穴都限制在同一材料中，电子跃迁几率较大。II型超晶格：即错开型，两种材料的禁带部分交叠，两种载流子的势阱分别在两种材料中。 典型的半导体微结构材料 1