第五章电工学之 半导体二极管和三极管.pptVIP

电工电子技术基础 电工电子技术基础 * 电工电子技术基础 第五章 半导体二极管和三极管 主要内容： 半导体基础知识 二极管及其应用 三极管及其应用 * 电工电子技术基础 5-1 半导体基础知识 Ge Si 一、半导体导电特性 导电介于导体与绝缘体间，如硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物 如钴、锰、镍导电性受温度影响大作热敏电阻 镉、铅的硫化物与碘化物受光照影响大作光敏电阻 1、本征半导体 硅与锗原子结构 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体 * 电工电子技术基础 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 Si Si Si Si * 电工电子技术基础 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 * 电工电子技术基础 2、杂质半导体 Si Si B- Si Si Si P+ Si P 型 N 型 硅或锗中掺棚等三价元素 硅或棚中掺磷等五价元素 * 电工电子技术基础 多子 少子 多子 少子 3、PN结 * 电工电子技术基础 正向偏置 * 电工电子技术基础 反向偏置 * 电工电子技术基础 5-2 二极管及其应用 一、二极管 1、基本结构 将PN结加相应电极引线和管壳，为半导体二极管，分 点接触型：（锗管）PN结小，通电电流小，作开关元件 面接触型：（硅管）PN结大，通电电流大，用于整流 引线 外壳线 触丝线 基片 PN结 点接触型 面接触型 * 电工电子技术基础 二极管符号： P N VD 2、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR * 电工电子技术基础 3、主要参数 （1）最大平均整流电流IF 指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流 一般几十至几百毫安 （2）最高反向工作电压 URM 确保二极管不被反向击穿的一个参数。一般为几十至几百伏 （3）极间电容 CP 指二极管两极之间电容的总称。一般在数皮法以下 （4）最高工作频率fM 极间电容频率效应不能忽略时的工作频率 * 电工电子技术基础 例1：如图所示，求VY，设二极管的正向压降0.3V ∵VA＞VB ∴VDA先导通 VY=2.7V 当VDA导通后VDB上是反向电压截止 ∴VDA起钳位作用，Y端电位钳在+2.7V VDB起隔离作用，将输入B与输出Y隔离 * 电工电子技术基础 二、特殊二极管 1、稳压管 符号 VZ U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 UZ （1）符号及特性曲线 * 电工电子技术基础 （2）主要参数 A、稳定电压 UZ：稳压管反向击穿后的稳定工作电压 B、电压温度系数αu：稳压值受温度变化影响系数 低于6V稳压管，为αu负 高于6V稳压管，为αu正 C、动态电阻rz:稳压管两端电压的变化量与相应电流变化量比值 rZ =ΔUZ/ΔIZ 反向伏安特性越陡，动态电阻越小，稳压管越好 D、稳定电流IZ：工作电压等于稳定电压时的工作电流 E、最大耗散功率PM：管子不致于产生热击穿时的功率损耗。 * 电工电子技术基础 例2：如图，求IZ IZ=（20-12）/1600=5mA IZ＜IZM ∴电阻值合适 * 电工电子技术基础 三、主要应用 主要应用于整流、滤波及稳压 二极管的应用举例1：二极管半波整流 RL ui uo ui uo t t * 电工电子技术基础 二极管的应用举例2：滤波 R RL ui uR uo ui t t t uR uo * 电工电子技术基础 NPN型 PNP型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 一、三极管 5-3 三极管及其应用 VT VT 1、三极管结构 * 电工电子技术基础 内部条件： a）发射区杂质浓度集电区基区 b）基区很薄 外部条件： a) 发射结正偏; b) 集电结反偏 共发射极结法：EB＞EE 发射结加正向电压P+→N- 集电结加反向电压EC＞EB 实验最终：IE=IC+IB IC、IE比IB大得多 IC/IB是晶体管电流放大作用 NPN型 PNP型 2、电流分配与放大原理 晶体