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若WmWs 金属与n型半导体接触时 金属与p型半导体接触时，若WmWs，能带向 上弯曲，形成P型反阻挡层。 金属与p型半导体接触时，若WmWs，形成空穴的表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离受主形成，空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成P型阻挡层。 阻挡层 （肖特基势垒） 反阻挡层 （欧姆接触） WmWs 反阻挡层 （欧姆接触） 阻挡层 （肖特基势垒） WmWs p型 n型 上述金半接触模型即为Schottky 模型： 济南大学物理科学与技术学院 * 2.3 光电效应 光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性发生改变统称为光电效应。 光电效应包括：外光电效应和内光电效应。 济南大学物理科学与技术学院 * 外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。光电器件中，光电管、光电倍增管等。 内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 最重要的参数是灵敏度、弛豫时间和光谱分布。 灵敏度：一定条件下，单位照度所引起的光电流。可以用光电增益G表示。 弛豫时间：光电导上升或下降的时间，或称为响应时间。表征光电导对光强变化反应的快慢。 光谱分布：光电导的大小与照射光的波长有密切关系。 济南大学物理科学与技术学院 * 光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 PN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于PN结上加一个正电压。 半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。 济南大学物理科学与技术学院 * 光热效应 光热效应：材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，材料的性质发生变化． 热释电效应：介质的极化强度随温度变化而变化，引起电荷表面电荷变化的现象． 辐射热计效应：入射光的照射使材料由于受热而造成电阻率变化的现象． 温差电效应：由两种材料制成的结点出现稳差而在两结点间产生电动势，回路中产生电流． 效应 探测器 光子效应 外光电效应 光电发射效应 光阴极发射光电子 光电管 倍增极倍增 光电倍增管 通道电子倍增 像增强管 内光电效应 光电导效应 光电导管或称光敏电阻 光伏效应 零偏的p-n结和PIN结 光电池 反偏的p-n结和PIN结 光电二极管 雪崩效应 雪崩光电二极管 肖特基势垒 肖特基势垒光电二极管 p-n-p结和n-p-n结 光电三极管 光电磁效应 光电磁探测器 光子牵引效应 光子牵引探测器 光热效应 温差电效应 热电偶、热电堆 热释电效应 热释电探测器 热辐射效应 负温度系数热效应 热敏电阻测辐射热计 正温度系数热效应 金属测辐射热计 超导 超导远红外探测器 其它 高莱盒、液晶等 * * * 济南大学物理科学与技术学院 * 晶体中电子的能带 晶体：原子以一定周期重复排列所构成的物体。 晶体中，原子相距很近，不同原子的电子轨道会发生交迭，导致电子可以由一个原子转移到另一个原子上，成为整个晶体共有的电子，这叫做电子的共有化。 只有能量相同的量子态之间才会发生电子转移。 电子共有化造成了电子能级不同程度的分裂，分裂后的能级相差很小，分布在一定区域； 能带：能量区域中密集的能级称为“能带”。 济南大学物理科学与技术学院 * 能带中的能级相差很小，可以看作是连续的。 济南大学物理科学与技术学院 * 价带：共价键结合的晶体中，由于刚好填满相对应的能级，能量最高的价数填满的能带称为价带。 导带：价带以上的能带都是空带，能量最低的空带叫做导带。 禁带：价带和导带之间的区域。 济南大学物理科学与技术学院 * 注意： 能带与原子能级的对应关系并不单纯，能带图并不实际存在。 只是用来着重说明电子能量分布情况。 济南大学物理科学与技术学院 * 2.2.4 半导体的导电机制 晶体中电子运动状态的改变、发生跃迁，一般需满足两个条件： 具有能向电子提供能量的外界作用， 电子要跃迁的那个能级是空的（泡利不相容原理）。 导电类型： 导带中电子导电 价带中空穴导电 济南大学物理科学与技术学院 * 导带电子导电：导带中存在空能级，在外加电场影响下，导带中的电子跃迁到空能级中，产生定向移动的电子，形成电流。 价带空穴导电：价带中一般是填满的，电子运动状态无法改变，不能形成电流；在外界作用下，价带中的电子跃迁到导带，电子留下空位（称为空穴）。在电场作用下，临近电子跃入到空穴后，又产