微波技术第4章微波振荡源.ppt

t t f [2] 频率调制 伴随小的幅度调制 P P f f0 -Ur P f1 f01 f2 图8 反射速调管的频率调制特性 三、多腔速调管简介 U0 输入信号 产生速度调制 输出(能量交换) 漂移空间 (密度调制) 图9 多腔速调管 加速栅极 §4-3 体效应二极管振荡器 1、体效应：指在砷化镓(GaAs)等一类导带结构中有多能谷的半导体,当其中的外加电场大于某一临界值时,低能谷中迁移率较大的电子转移到迁移率较小高能谷中,从而出现微分负阻现象----体效应. 根据体效应制成的电子器件,称为转移电子器件. 2、 基本工作原理 禁带 导带 砷化镓(GaAs) 能带结构和负的微分迁移率 有些半导体的导带有高低不同的几个能谷,能量最低的能谷叫主能谷,其余叫子能谷. 价带 图 10 n 型砷化镓的能带结构 这种多能谷结构，如图 10 所示，在中间主能谷（低能谷）周围对称地分布着六个子能谷（高能谷，图中只画了两个子能谷表示）。主能谷对应于下导带，子能谷对应于上导带，上、下导带的能量差是0.36eV，处于子能谷的电子有有效质量大，迁移率小，称为慢电子或重电子。通常导带中的电子处于能量较低的主能谷，但受到激发时能跃入能量高的子能谷，这一过程称为越谷效应。当外加电场超过某一最低值（阈值电场 ）时，导带中的部分电子受电场能量的激发由主能谷跃入子能谷，随之迁移率变小，速度下降，出现负的微分迁移率。由于流过样品的电流与电子的平均速度成正比，而局部电场又与外加电压成正比，所以伏安特性出现了负阻区，如图12所示： * * 第四章 微波振荡源 §4-1 概述 微波电子器件包括：微波半导体 器件和微波真空器件两大类： 1、微波半导体器件：微波二极管(体效应二极管，雪崩二极管)，微波晶体管 微波二极管：能够工作于微波波段的各种半导体二极管 EXP：隧道二极管,点接触二极管(低噪声接收器件) 体效应二极管，雪崩二极管(用于微波功率源) b. 微波晶体管：指能工作于微波段的晶体管,微波双极性晶体管和微波单极性晶体管(微波场效应管) 2、微波电真空器件：分为两大类 静态控制微波管:如超高频三、四极管(工作原理与低频类似,仅对低频电子管缩小尺寸. 动态控制微波管：如速调管、行波管 EXP ：速调管、行波管，其原理与“静态控制”完全不同 微波管与微波半导体器件是两种性质完全不同的微波电子器件，它们各有特长，也有自己的缺点。 微波管：优点是频率高,功率大,效率和增益高,频带宽；缺点是体积大制造工艺复杂,成本高 微波半导体器件：优点是体积小,重量轻,寿命长,制作工艺简单,成本低.缺点是频率低,功率不易提高. §4.2 速调管 一、微波管工作的基础－－电子流的能量交换 对于任何电子管器件和振荡器,从能量的观点看,它所要解决的基本问题,就是借助于运动的电子从直流电源获得一定的能量,使电子加速，转化为电子的动能，然后通过一定的装置将其动能的一部分转换为高频场的能量(需放大或振荡的波)，在这个过程中，电子起着中间能量传递着的作用，这一原理是微波管工作的基础。 任何微波管放大器或振荡源都必须具有： 供给电子能量的直流电源； 能产生电子流的装置； 对电子流加速的装置； 对电子流的运动规律进行调制的装置； 能够将电子流的动能转换给高频场的装置. 由上述可知：微波管工作的基础就是电子流与电场的能量交换。在微波管中电场只有直流电源所建立的直流电场和微波信号源建立的高频交变电场两种。 结论：电子从低电位向高电位运动时，电子获得能量；电子从高电位向低电位运动时，电子失去能量。 b. 电子流与交变电场的能量交换. 电子流与交变电场电场之间的能量交换，原则上与直流电场时情况相同。电子流在交变电压的正半周期内，受到加速，获得能量；在交变电压的负半周期内，受到减速，失去能量，电场的能量增加。如果电子流的密度是均匀的,在整个周期内电子流与交变电场没有能量交换。所以两者要进行有效的能量交换，必须使用密度不均匀的电子流。 二、反射速调管 1、反射速调管的结构和组成 反射速调管主要由：电子枪、加速栅极、环形谐振腔、 反射极、输出耦合装置等几部分组成： a、阴极：阴极为氧化物旁热式阴极，用来发射电子； b、加速栅极：加有直流高压U0，加速从阴极发射的电子； c 、环形谐振腔：其两个壁做成网状，可以让电子穿过，上下栅网间有交变电压，这个交变电压改变电子的速度----速度调制； d 、反射极：加有比阴极为负的电压Ur，产生制动空间，作用是产生密度调制。 e 、谐振腔中振荡的微波能量用耦合