PRP结题报告-半导体IC用超高纯铝靶材的轧制细化.docVIP

项目编号： 上海交通大学 PRP学 生 研 究 论 文 项目名称：半导体IC用超高纯铝靶材的制备 论文题目：半导体IC用超高纯铝靶材的轧制细化 学生姓名：李明泽 学生学号：5060519025 所在院（系）：材料科学与工程学院 指导教师：张佼 承担单位：材料科学与工程学院 半导体IC用超高纯铝靶材的轧制细化 指导老师：张佼 材料科学与工程学院 学生：李明泽、程健 材料科学与工程学院 摘要 高纯铝在半导体IC产业有着较大的需求，但用于制备集成电路Si片溅射靶材的超高纯铝纯度要大于5N，且需要晶粒均匀细小，目前有效的细化方法为压力细化，我们的研究采用了等径角挤与轧制相结合的方法，通过等径角挤得到细长的小晶粒，再通过轧制工程使细长晶粒破碎，得到细小的晶粒，再通过热处理形成各向同性的等轴晶。本文探讨了轧制过程对溅射靶材的细化作用，通过不同的加工参数，得到不同的晶粒尺寸，最后得到最佳的轧制方式。结果表明，通过深冷双向轧制处理后，能够得到晶粒均匀细小的靶材，相对于其他方式，有着显著的优点。 关键词：超高纯铝，溅射靶材，轧制，晶粒细化  Rolling grain refinement of ultra-high purity aluminum for semiconductor IC Abstract High purity aluminum is largely used in semiconductor industry, but the purity of ultra high purity aluminum used for sputtering targets on IC Si substrate must be over 5N.Besides,uniform and small grain size is a must. At the moment, the efficient method to minimize grain size is plastic deformation. The method of equal channel angular pressing(ECAP) together with rolling was put forward. The process of ECAP produces lathy small grains, which was broken up by succedent rolling process. In this way, grains with small size were obtained. Then equiaxed and isotropic grains can be obtained by heat treatment. In this paper, the effect of rolling on grain refinement of sputtering target was discussed. It is concluded that the method of bidirectional rolling with deep cooling shows obvious advantages over other methods and uniform and small grain size can be obtained. KEY WORDS: Ultra-high purity aluminum，Sputtering target，Rolling，Grain refinement 1、绪论 靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。靶材主要应用在ITO导电玻璃、DWDM（高密度多工分配器）、CD-R、CD-RW、DVD、EMI（抗电磁波干扰）、OLED、磁性材料、感测元件、压电材料、硬化膜、高温超导等产品上。靶材主要有金属类、合金类、氧化物类等等。金属靶材一般是由高纯金属制成。高纯铝靶材就是工业上常用的中的一种。对于金属靶材，一般要求表面需要数控加工，越光滑越好。溅镀后的模压盘片能够在播放器上读出，为确保读出信号的强度，需要溅镀金属层的反射率达到80%。目前靶材主要制造商包括有德国HERAEUS，占率达60