项目五 半导体二极管和三极管.ppt

外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 P N + – U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 二、伏安特性： 非线性 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半或三分之二。点接触型D 管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。 3. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 二极管的应用: 整流、检波、限幅、保护等 关键：判定二极管的工作状态 ---- 导通、截止 实际二极管：正向导通 ---- 硅 0.6~0.7V 锗 0.2~0.3V 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零