垂直平面腔半导体激光器.docx

垂直平面腔半导体激光器1、大功率垂直腔面发射激光研究进展大功率垂直腔面发射研究是从德国Ulm大学1999年的报道开始的波长为980 nm顶面出光和底面出光的VCSELs单管室温下连续输出功率分别达到180mW和350mW 随之在2001年又报道了直径320 m的单管器件室温下连续工作最大输出功率达到0.89 W 19个单元组成的二维面阵连续工作最大输出功率为1.55 W 功率密度达到了1.25 kW/cm2 [3-4]美国加州大学采用1 000个直径45 m的列阵实现脉冲5 W的输出[5] 美国Novalux公司2003年利用连续1 W输出的980 nm垂直腔面发射激光器通过腔内倍频获得了42 mW的蓝光高功率输出[62004年中国科学院长春光学精密机械与物理研究所首次报道了室温连续输出功率超过1 W的大功率VCSEL的研究结果[7-8]2005年美国Princeton Optronics公司报道了直径350 m器件连续输出达到3 W除电泵浦垂直腔面发射激光器外美国Sandia国家实验室2002年报道采用光泵浦方式研制出垂直腔面发射器件实现980 nm波长输出脉冲功率达到4.4 W该结构由于可以通过在扩展腔内插入非线性晶体实现高效腔内倍频而在高光束质量大功率蓝绿激光有非常重要的应用价值2008年以来大功率垂直腔面发射激光器研究水平发展非常迅速美国Princeton Optronics公司通过高密度集成和模块化集成连续输出达到230 W和脉冲输出达到数千瓦的列阵器件电光转化效率达到48% 接近边发射激光器水平工作温度范围0~80 远比边发射激光器的20~35 宽应用在激光测距和固体激光泵浦领域。美国Novalux公司和韩国三星公司在电泵浦扩展外腔面发射激光器方面取得了非常好的成绩其器件结构，Novalux公司用于激光显示的红绿蓝三基色激光器器件输出功率分别达到1.2 W 7 W和4 W而三星公司采用上述结构得到1 070 nm激光经过BBO倍频产生535nm 输出功率超过7 W的线偏振绿光输出光光转换效率达到27% 此外还得到了4.9 W920 nm激光经过LBO倍频产生460 nm 输出功率超过2W的蓝光输出光光转换效率达到10%2、垂直腔面发射半导体激光器实现大功率的途径垂直腔面发射半导体激光器的优点：光束圆形对称、阈值低、易形成二维集成、可以动态单模工作。提高这种激光器的输出功率有两种方法：一是增大器件出光孔径，二是制成二维阵列。增大器件出光孔径在提高输出功率的同时也造成了光束质量的变差，并且由于器件效率随出光孔径增大而减小，绝大部分的电功率转换为热，给继续提高输出功率带来了极大的困难。而制成二维阵列结构具有结构简单、阵列密度高、功率大、散热方便等优点，但阵列器件各单元光束叠加后的光束也比较复杂。3、光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的散热光抽运垂直外腔面发射半导体激光器耗散热主要集中在抽运光斑的范围。因为抽运光的阈值功率密度达到万瓦每平方厘米的水平 ,在这样大的功率密度的光辐射下 ,器件温度的上升会使有源层和分布布拉格反射镜( DBR) 材料参数发生变化 ,设计结构失效 ,有效增益降低 ,最终使输出功率减小甚至为零。目前可使用沉底去除法使激光器具有较高的散热能力。前期器件耗散热是依次通过DBR和衬底传递到热沉上，可将光抽运垂直腔面薄片键合在高热导率的晶体上，形成一个比DBR接触的热沉更有效的热扩散层。通常选用对抽运光和热扩散层透明的金刚石片、蓝宝石或碳化硅等高热导率的晶体。研究表明，在有高热导率晶体的情况下，器件中各个量子阱的温差很小，如果在DBR一侧焊接有硅微通道冷却器的情况下，各量子阱的温差进一步减小，在抽运不变的情况下，适当增加抽运光的半径，可显著降低器件的热效应，尤其热透镜效应。4、改善垂直腔面发射半导体激光器的光束质量4.1、集成微透镜改善光束质量光束质量是激光器应用中一个非常重要的指标为提高VCSEL的激光功率不得不增加出光窗口的孔径但随之而来的问题是大的孔径造成电流分布的不均匀影响腔内增益分布和输出激光光束质量如何实现单横模激光输出是目前研究的一个前沿问题借鉴固体激光器中的耦合腔思想设计并在VCSEL管芯上集成一个微透镜是一个可能的途径目前用于制作微透镜的方法有离子交换法光敏玻璃热成形法光刻胶热熔法光电反应刻蚀法聚焦离子束刻蚀与沉积法化学气象沉积法等方法但对GaAs衬底材料来说比较简便的还是湿法化学腐蚀。GaAs衬底表面上研制的微透镜激光束发散角与没有微透镜时相比大大减小，但与单横模目标相比还有很大差距。传统的VCSELs列阵均采用单元直径和单元间距相等的排列方式,每个单元的环形或圆形光束叠加后在远场形成具有一系列峰值的周期性强度分布或平顶型强度分布这种远场限制了激光功率密度的提高需要复杂的光学系统进行处理对