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一种基于忆阻交叉阵列的自适应三高斯模型及其在图像增强中的应用 刘琦 王丽丹 段书凯 Anadaptivethree-Gaussmodelbasedonmemristivecrossarrayanditsapplicationinimageenhance- ment LiuQi WangLi-Dan DuanShu-Kai 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,127301(2017) DOI: 10.7498/aps.66.127301 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.127301 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I12 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于Ni 电极和ZrO /SiO /ZrO 介质的MIM 电容的导电机理研究 ConductionmechanismsofMIMcapacitorswithZrO /SiO /ZrO stackeddielectricsandNielectrodes 物理学报.2017,66(8): 087301 /10.7498/aps.66.087301 基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究 Researchofcouplingbehaviorbasedonseries-parallel flux-controlled memristor 物理学报.2015,64(23): 237303 /10.7498/aps.64.237303 Ti/HfO /Pt 阻变存储单元中的氧空位聚簇分布 ClusterdistributionforoxygenvacancyinTi/HfO /Ptresistiveswitchingmemorydevice 物理学报.2015,64(20): 207302 /10.7498/aps.64.207302 忆阻器及其阻变机理研究进展 Researchprogressofmemristorsandmemristivemechanism 物理学报.2014,63(18): 187301 /10.7498/aps.63.187301 Ni/HfO /Pt 阻变单元特性与机理的研究 ElectriccharacteristicsandresistiveswitchingmechanismofNi/HfO /Ptresistiverandomaccessmemory cell 物理学报.2014,63(14): 147301 /10.7498/aps.63.147301 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 12 (2017) 127301 一种基于忆阻交叉阵列的自适应三高斯模型及其 在图像增强中的应用 刘琦 王丽丹 段书凯 (西南大学电子信息工程学院, 非线性电路与智能信息处理重庆市重点实验室, 重庆 400715) ( 2017 年1 月11 日收到; 2017 年3 月31 日收到修改稿) 在视觉图像处理中, 可用三高斯模型来模拟视网膜神经节细胞的感受野, 这可以在一定程度上对图像信 息, 比如图像的边缘、细节等信息进行增强. 但是在对大量的图像进行处理时, 为了达到比较理想的效果, 就 需要人为地来改变模型中的相关参数, 这是一个十分耗时的过程. 基于此, 本文提出一种基于忆阻交叉阵列 的自适应三高斯模型. 这种模型是在传统三高斯模型的基础上, 根据所需处理图像的局部特征, 利用忆阻交 叉阵列的特性动态地改变模型参数, 以达到对局部图像最优增强的目的, 从而使整幅图像的增强效果更好. 首先, 根据图像的局部亮度信息来确定忆阻器所需施加的脉冲电压的极性以及宽度; 然后, 根据所得忆阻值得