南台科技大学化学工程与材料工程系材料科学与工程期末报告半.docVIP

南 台 科 技 大 學 化 學 工 程 與 材 料 工 程 系 材料科學與工程 期末報告 半 導 體 班級：化 材 二 甲 學號：498H0043、498H0012 姓名：曾 捷 文、楊 孟 儒 指導老師：林鴻儒 教授 中華民國九十九年12月7日 半導體基本介紹 半導體為基礎的近代電子學中的基本概念，包括半導體材料、基本半導體元件，以及應用。電子技術中的主角就是半導體，而半導體有二極體、三極體（或稱為雙極電晶體BJT）…等。 半導體的材料種類 半導體顧名思義係指導電度介於導體與絕緣體的物質，如下圖將一些常見材料依其導電度（下方橫軸）標出，上方橫軸所標示的是對應的電阻率。半導體的導電度大約介於10-8 到103 S/cm 之間，範圍相當的廣，即使是同一半導體材料的分布也很大，這主要是由於半導體的導電性很容易受到雜質、溫度及光照等製備及環境條件的影響。也正是由於半導體的這個多變的特性，使得他能夠有多樣性的應用。 元素半導體，例如矽(silicon, Si)、鍺(germanium, Ge)，由單一的四價元素（有四個價電子）所形成。常見化合物半導體又可依照成分元素的週期表分類分為四四族化合物半導體（如碳化矽SiC、矽鍺合金等）、三五族化合物半導體（如砷化鎵GaAs、氮化鎵GaN、磷化鎵GaP、砷化銦InAs 等二元化合物，及砷化鋁鎵AlGaAs、磷化銦鎵GaInP、氮化銦鎵GaInN、磷砷化銦鎵InGaAsP 等三元或四元化合物）、以及二六族化合物半導體（如硫化鎘CdS、鍗化鎘CdTe、硫化鋅ZnS 等）。下圖是週期表內二價到六價的元素，大部分的半導體是由這些元素所組成。 元素半導體中的”矽”是目前工業中最主要的半導體材料，其原因在於矽在地球表殼中存量豐富，又能在上面長出品質良好的氧化層，適合大規模的積體電路的製作。其他半導體則依其特性各有不同的用途，例如三五族半導體有優良的發光特性以及快速的電子傳導特性，因此在光電產業及通訊電子方面就佔有非常重要的角色。 半導體的結構加工方法 一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。材料元件內自由電子濃度(n值)與其傳導率成正比。良好導體之自由電子濃度相當大(約1028個e-/m3)，絕緣體n值則非常小(107個e-/m3左右)，至於半導體n值則介乎此二值之間。 半導體通常採用矽當導體，乃因矽晶體內每個原子貢獻四個價電子，而矽原子內部原子核帶有四個正電荷。相鄰原子間的電子對，構成了原子間的束縛力，因此電子被緊緊地束縛在原子核附近，而傳導率相對降低。當溫度升高時，晶體的熱能使某些共價鍵斯鍵，而造成傳導。這種不完全的共價鍵稱為電洞，它亦成為電荷的載子，如圖A B。 於純半導體中，電洞數目等於自由電子數，當將少量的三價或五價原子加入純矽中，乃形成有外質的(extrinsic)或摻有雜質的(doped)半導體。並可分為施體與受體，分述如下： A:B: 1.施體(N型) 當摻入的雜質為五價電子原子(如砷)，所添入原子取代矽原子，且第五個價電子成為不受束縛電子，即成為電流載子。因貢獻一個額外的電子載子，稱為施體(donor)，如圖C。 C:D: 2. 受體(P型) 當將三價的雜質(如硼)加入純矽中，僅可填滿三個共價鍵，第四個空缺形成一個電洞。因而稱這類雜質為受體(acceptor)，如圖D。 半導體各種產品即依上述基本原理，就不同工業需求使用矽晶圓、光阻劑、顯影液、酸蝕刻液及多種特殊氣體為製程申的原料或添加物等，以完成複雜的積體電路製作。 半導體的發展 全球半導體產業發展至今，近年在新興市場逐漸蓬勃發展的導引下，產能已從美、日、歐等過去半導體產業先進國家轉移至亞太地區。我國半導體產業自1996年開始發展，歷經了萌芽、技術引進、技術自立及擴散期，我國廠商以成本領導策略與代工模式引領市場，締造半導體製造業代工模式的成功，在8吋晶圓廠世代即建立了龐大的產能，晶圓代工業目前已成為全球第一大，DRAM製造業也建立了穩固的基礎。 我國半導體產業群聚效應明顯，在全球的半導體產業已佔有舉足輕重的角色，而在我國政府的大力扶植下，成功營造了我國良好的投資環境。2006年全球第5大DRAM廠日商爾必達（Elpida）與國內DRAM領導廠商力晶合資成立瑞晶電子，規劃於五年內在中科興建四座12吋晶圓廠。未來瑞晶電子將結合我國廠商成本控制與建廠速度等彈性應變優勢，與日商先進記憶體技術，提升我國DRAM技術自主能力，並逐步擴大產品的全球市占率。2007年初宣布將在中科興建4座12吋晶圓廠，茂德也宣布從2007年9月起在中科開始興建4座12吋晶圓廠，而華亞及南亞也相繼宣布將再興建12吋廠；另外在專業晶圓代工廠商方面，2007年1月聯電已