离子注入聚醚砜的射程分布和能量淀积.PDFVIP

维普资讯 第22卷 第3期 宝鸡文理学院学报 (自然科学版) V0I．22 NO．3 2002年9月 JournalofBaojiCollegeofArtsandScience(NaturalScience) Sept．2002 离子注入聚醚砜 的射程分布和能量淀积 。 岳喜成 (宝鸡文理学院 物理系 ，陕西 宝鸡 721007) 摘 要 ：计算 了15keVN 和Ar 注入聚醚砜薄膜的射程分布和能量淀积分布 。利用计算的结果说 明了离子注入聚醚砜膜后 。薄膜表面 电导率增加 (增加5个数量级)和光吸收率增加 (最大吸收率从 44 增加到 82．5 )现 象。 关键 词 ：离子注入 ；射程 分布和 能量淀积分布 ；聚合物 ；聚醚砜 中图分类号 ：O631．2 文献 标识码 ：A 文章编号 ：1007—1261(2002)03—0200—03 Therangedistributionandenergydepositiondistribution 0f15keYN+orAr+implantationinpolyethersulfonefilm YUE Xi—cheng (Dept．Phys．．BaojiCol1．Arts＆Sci．。Baoji721007。Shaanxi。China) Abstract：Itisanalyzed thatrangedistributionandenergydepositiondistributionof15keV ni— trogerorargon ionsimplantation in polyethersulfonefilm．Theincreaseofsurfaceconductivity(from 2．54×10--14／n increaseto2．96×10一。／f1)andopticalabsorptivity(maximum opticalabsorptivityfrom 44 increaseto 82．5 )afterimplantedcan beexplainedbyusingthistheory． Keywords：ionsimplantation；rangedistributionandenergydepositiondistribution；polyethersul— lone；polymer 本实验用 15keV 的N 和Ar注入PES(聚醚 口一0．885a0Z—j。口= 0．529× 10 cm 称为玻尔 砜)薄膜 。研究注入后薄膜 的电学和光学性质 。本 半径 。s一 1为库仑势 。S=2为托马斯一费米势 ，当 文分析 了注入 离子 的射程分布和能量淀积 。利用 在2与3之间时 。理论和实验符合 的更好一点 。忽 计算 的结 果说 明 了离子 注入 聚醚 砜膜后 ，薄膜 的 略电子 的阻止本领 。利用核散射的低能近似 电学 和光学性质 的变化 。 da 一 厂(tin) 离子 由进入到停止所走过的总距离称为射程 R。这一距 离在入射方 向上 的投影称为投影射程 在 s一 2时 。J．Lidhard和 M．Scharff解入射离子 R 。在低能注入时 。核 阻止 占主要地位 ，电子 阻止 在靶 内沿路径测量的射程 的几率分布微分积分方 可 以忽略 。一 dE／dX — NS：。N为单位体积 内靶 程得 原子 的平均数 。S：为核阻止本领 S E)的一级近 1