gaas2alxgaxas双势垒结构中电子共振隧穿寿命journalof.pdfVIP

第 26 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 10 2005 年 10 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Oct . ,2005 GaAsAl x Ga1 - x As 双势垒结构中电子共振隧穿寿命 宫 　箭 　梁希侠 　班士良 ( 内蒙古大学理工学院物理系 , 呼和浩特 　0 1002 1) 摘要 : 采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时 Schrdinger 方程 ,计算了电子在双势垒结构中的构建时 间和隧穿寿命. 结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要. 通过研究隧穿时间对结构参 数的依赖情况发现 ,隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大. 关键词 : 双势垒 ; 共振隧穿 ; 寿命 PACC : 7340 G ; 7320