Cu元素对Cu(InGa)Se2薄膜及太阳电池的影响-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 6 (2014) 067203 Cu元素对Cu(In, Ga)Se 薄膜及 太阳电池的影响 刘芳芳 何青 周志强 孙云 (天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300071) ( 2013 年11 月15 日收到; 2013 年12 月11 日收到修改稿) Cu 元素成分对Cu(In, Ga)Se (简称CIGS) 薄膜材料的电学性质及其电池器件性能有很重要的影响. 本 文利用蒸发法制备了贫Cu 和富Cu 的CIGS 吸收层 ( CuGa In ) 及相应的电池器件. 扫描 电镜和Hall 测试发现, 富Cu 材料的结构特性 (晶粒大、结晶状态好) 和电学特性 (电阻率低、迁移率高等) 优 于贫Cu 材料, 而性能测试表明贫Cu 器件的效率优于富Cu 器件. 变温性能测试分析表明, 贫Cu 器件的主要 复合路径是体复合, 激活能与CIGS 禁带宽度相当; 富Cu 器件的主要复合路径是界面复合, 其激活能远小于 CIGS 禁带宽度, 这大大降低了开路电压oc , 从而降低了电池效率. 最后利用蒸发三步法制备了体材料稍富 Cu 表面贫Cu 的CIGS 吸收层, 降低了短路电流和开路电压的损失, 获得了超过15% 的电池效率. 关键词: Cu(In, Ga)Se 太阳电池, Cu 元素, 激活能, 开路电压 PACS: 72.80.Cw, 73.20.At, 78.55.Et DOI: 10.7498/aps.63.067203 是贫Cu 方向的容忍性) 可以偏离2% 以上, 如此显 1 引 言 著偏离化学计量比的器件仍然具有优异的半导体 24 光伏性能. 国外对此方面进行过一些研究 , 认 Cu(In, Ga)Se (CIGS) 材料属于黄铜矿的一 为这与CIGS 材料的内部缺陷以及复杂的自掺杂作 种, 其阳离子 (Cu, In (Ga) 原子) 存在四个最近 用有关. 本文针对这一问题, 就Cu 元素对CIGS 吸 邻的阴离子 (Se 原子) 周围, 通过这些组成原子 收层及相应的电池器件的影响展开一系列研究. (Cu, In (Ga), Se) 的不同配比来形成大量的替位 或间隙原子的点缺陷, 使材料同时存在提供电子 2 实 验 和空穴的施主和受主缺陷, 从而成为自掺杂半导 体材料, 使得CIGS 材料对化学计量比偏离有良好 利用共蒸发一步法沉积CIGS 薄膜, 通过改变 的容忍性. 据文献[1] 报道, Cu/(In+Ga) 比值处于 Cu 源蒸发温度控制Cu 比例 (Cu/(Ga+In), 图示 0.8—0.92 范围内的CIGS 材料, 都可以制备出高效 中以x 表示) 变化, 制备了贫Cu 和富Cu 的CIGS CIGS 电池器件. 理论上讲, 1% 的化学计量比偏 薄膜样品 (. CuGa In .), 再在 离产生的点缺陷浓度大约为10 cm , 而半导体 上面利用化学水浴法沉积50 nm 的CdS 缓冲层 光伏材料一般可以接受的复合中心净掺杂浓度是 薄膜和溅射沉积500 nm 的ZnO 窗口层, 制备成 10 cm , 相差了10000 倍.